IR推出新一代150V及200V功率MOSFET器件通态电阻降低高达56%

功率半导体领袖国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出200V额定IRF7492及150V额定IRF7494 HEXFET N沟道功率MOSFET，成功地把器件通态电阻减低高达56%。与市场上同类器件中相应通态电阻的电荷值相比，新器件的栅漏 (Gate-to-drain，即Miller) 电荷减低达50%。

若在典型的150W正激转换器应用中，以IR新一代SO-8 IRF7492或IRF7494取代业界标准SO-8器件，效率可提升0.5%，这将导致器件结温降低15°C至20°C。

新MOSFET是专为正激或推挽式功率转换器拓朴中的原边开关应用而设计，适用于电信及网络系统中的板上型功率模块。

IR中国及香港销售总监严国富表示：“MOSFET的主要参数包括器件通态电阻和栅电荷。这些参数对电路整体性能具有一阶效应。全新IRF7492和IRF7494器件以IR最新沟槽技术制成，有助减低传导和开关损耗，提升整体效率。”

IRF7492及IRF7494具有低通态电阻 (RDS(on)) 和栅电荷，最适用于高达500kHz的直流-直流转换器开关应用系统，栅电压最高达20V。新MOSFET还具有低栅阻抗，能将开关损耗降至前所未有的水平。

全新IRF7492及IRF7494 HEXFET MOSFET已有供应。数据册详载于IR网页www.irf.com，基本规格如下：

产品型号 封装 VDSS VGS=10V下RDS(on)最大值 典型Qg值 典型Qgd值
IRF7494 SO-8 150V 44mOhm 36nC 13nC
IRF7492 SO-8 200V 75mOhm 38nC 16nC