飞兆半导体推出采用SC75 FLMP封装的低压MOSFET

飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出新型P沟道MOSFET器件FDJ129P，为便携设备电源管理带来综合的性能和节省空间优势，这些设备包括移动电话、PDA、便携音乐播放机、GPS接收装置、低压/低功率DC-DC转换器及数码相机等。FDJ129P在紧凑的SC75 FLMP（倒装引脚铸模封装）中结合了飞兆半导体的高性能 PowerTrench® 技术，结果可以带来比SSOT-6 或TSOP-6封装所提供同类MOSFET器件减少60%的电路板空间。FDJ129P的功耗为1.8W，最大稳态电流为4.2A – 这数值比采用SC75封装技术的同类型产品高出12倍。

FDJ129P提供的性能与FDC640P等典型TSOP-6基础产品相似，但占用的电路板空间却较TSOP-6封装减少了60%，侧高则降低了34%。飞兆半导体便携产品应用市场发展经理Chris Winkler称：“现在，客户可选用新器件来减少其电路板尺寸，或利用SC75 FLMP的功能将其电路升级至更高的电流能力。”

此外，FDJ129P提供低开关损耗，因此能减少系统的功率耗散，并具备高达4.2A的最大稳态电流和16A的最大脉冲电流。

飞兆半导体是首家厂商提供FLMP封装的P沟道MOSFET，该专利的封装技术可省去传统的引线粘接，带来极低的电阻。FLMP封装同时在印刷电路板和MOSFET晶片之间 (泄漏连接) 提供低热阻路径。低电阻和低热阻的结合可大大提高电源管理设备的性能。

FDJ129P的低封装高度 (最大仅为0.8 mm) 能让该产品用于RF屏蔽和内部组件及显示器件之下，从而满足业界对更薄、更低侧高封装从不间断的需求。除了封装方面的优势外，该新器件还具有极低的RDS(on)（70mΩ @ VGS = -4.5V 和120mΩ @ VGS = -2.5V）和低栅极电荷（VGS +/- 12V时Qg£6nC）。

SC75 FLMP封装P沟道MOSFET的推出扩充了飞兆半导体针对便携应用的产品种类，包括音频放大器、背光LED、温度传感器和复位发生器电路等监控产品，以及LDO和TinyLogic®。

封装的电性能和热性能比较:

参数 FDJ129P FDC640P
封装 SC75 FLMP SSOT-6
BVdss -20V -20V
Vgs max 12V 12V
Id max (静态) 4.2A 4.5A
Id max (脉冲) 16A 20A
RDS(on) @ 4.5V Vgs 70mOhm 53mOhm
RDS(on) @ 2.5V Vgs 120mOhm 80mOhm
Rtheta-JA deg-C/W 77 78
封装侧高 0.8mm 1.22mm
封装占位面积 3.7mm2 9.0mm2

價格: 每个 0.33美元 (订购1,000 个).
供货: 现货
交货期: 收到订单后8周内