凌特公司通过2.6A超低正向电压理想二极管提高二极管“或”效率

凌特公司（Linear Technology）推出 LTC4411 低损耗 Power PathTM 控制器，能够控制一个集成 P 沟道 MOSFET，为电源切换或负载共享提供近于理想的二极管功能。在导通时，MOSFET 的电压降至 28mV，比同类别的肖特基二极管低十倍。为了延长的电池寿命、低输入电压运行或产生热量最小化而采取多重电源“或”方式时，可使功率耗散和压降最小化。此外，LTC4411 具有多种保护功能，如电流限制、温度保护、以及输入电源的反向电流监测保护，这提高了系统的可靠性。LTC4411 的逻辑电平输入管脚简化了微控制器接口，而开路漏极状态管脚指示 LTC4411 的导通状态。该管脚可用于驱动一个外置 P 沟道 MOSFET 栅极，以在两个输入电源之间进行转换。LTC4411 的工作电压在 2.6V 到 5.5V 之间，采用 SOT-23 封装。应用范围包括以电池驱动和 AC/DC 输 入的器件、负载共享和低电压备份电源系统。
LTC4411 包含一个 140mOhm P 沟道 MOSFET。在正常正向运行期间，通过 MOSFET 的压降能够被调节低至 28mV。在负载电流高达 100mA 时的静态电流低于 40uA。如果输出电压超过输入电压，MOSFET 就会被切断，从 OUT 到 IN 的反向电流低于 1uA。最大正向电流限制在一个恒定的 2.6A（典型值），而内部温度限制电路可在出现差错时保护部件。在关断时，LTC4411 耗电小于 25uA。

LTC4411 工作温度在 -40°C 至 85°C 之间。以 1,000 件为批量，每件起价为 1.60 美元。
LTC4411 性能概要：

·针对“或”二极管的低损耗替代
·低调节正向电压：28mV
·最大正向电流 2.6A
·低正向导通电阻：140mOhms
·低反向漏电流 < 1uA
·2.6V 到 5.5V 运行范围
·保护方式：电流限制、温度、反向电流
·5 引线 ThinSOT 封装