英飞凌在DRAM沟槽技术中取得重大突破

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英飞凌在DRAM沟槽技术中取得重大突破

作者：eaw 时间：2005-12-01 13:34 来源：本站原创

英飞凌科技公司近期展示了其具有高生产性的、适合未来DRAM产品的70 nm工艺技术，此技术以300 mm晶圆上的深沟单元为基础，首次在沟槽电容中使用了高介电常数物质，从而成功实现了电容器的瘦身。此外，该技术还融入了在采用90 nm DRAM技术的高效内存组件中已成功使用的诸多技术创新，包括利于光刻和高纵横比蚀刻工艺的全新对称“棋盘”(CKB)式布局。www.infineon.com

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