英飞凌打造业界最小的非易失闪存单元

英飞凌科技公司近期宣布研制出了目前世界上最小的非易失闪存单元，这种全新存储单元通过独特的三维结构，在充当存储单元核心的晶体管上添加了一个“鳍”，厚度仅为8nm，由20nm宽的栅电极控制。不仅最大程度降低了不良效应，而且和当今的平面晶体管相比，静电控制性能也得到了极大提升。
英飞凌的这种装置被称作FinFET（鳍式场效晶体管），它将携带信息的电子储存在一个介于硅鳍和栅电极之间的电绝缘氮化物层中。除了以上优点，FinFET还具有极佳的耐用性和电气特性。例如，要准确记忆1位信息，当今市场上最先进的内存需要大约1,000个电子，而新存储单元只需要100个电子，并且还可利用另外100个电子在同一个晶体管上再存储1位信息。100个电子大致相当于一个金原子的电子数，尽管电荷量极小，但在英飞凌慕尼黑实验室中的样片却显示了极佳的电气性能。
该存储单元电路宽度仅为20nm，如果能够克服光刻等一切生产上的困难，这项新成果很可能在今后几年之内被用于制造容量高达32 Gbit的非易失性闪存芯片，相当于市场上现有产品的8倍。