安森美半导体拓展功率MOSFET产品系列，推出18款新计算器件

功率MOSFET优化直流-直流转换并降低CPU/GPU 供电、直流－直流转换器及高低端转换中的临界电流水平功耗

日前，全球领先的电源管理解决方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)推出18款优化直流－直流转换并降低临界电流水平功耗的新型功率MOSFET器件。这些功率MOSFET适用于计算应用中的CPU/GPU供电，直流－直流转换及高低端开关，如台式机、笔记本电脑和服务器中。

这些新型的30伏(V)，35到191安培(A)的器件是单个N-沟道MOSFET提供较低RDS(on)以尽量降低功耗。器件的门极电荷和门极电荷比也小，降低导电和开关损耗，使电源效率更高。

安森美半导体PowerFET部副总裁David Garafano说:“为了帮助我们的客户满足特定应用的需要，安森美半导体一直在拓展PowerFET产品系列，以提供业内品种最多的MOSFET。因为安森美半导体有多种生产这些新型MOSFET器件的制造资源，所以我们可以有效地处理突发的需求变化并进一步确保准时供货。”

器件
其中8款新型功率MOSFET器件采用DPAK封装，而每10,000片的批量预算单价在0.40至0.87美元之间。

器件 VDS ID Rdson @ 10 V Qg (典型)
•NTD4804N30 V 117 A4 mΩ30 nC
•NTD4805N30 V 88 A5 mΩ20.5 nC
•NTD4806N30 V 76 A6 mΩ15 nC
•NTD4808N30 V 63 A8 mΩ11.3 nC
•NTD4809N30 V 58 A9 mΩ10.7 nC
•NTD4810N30 V 54 A10 mΩ9 nC
•NTD4813N30 V 40 A13 mΩ6.9 nC
•NTD4815N30 V 35 A15 mΩ6 nC

其他10 款新型功率MOSFET 器件采用SO-8平引脚封装– 带外露引脚框于背面使散热更佳。这些器件的每10,000片的批量预算单价在0.71至0.91美元之间。

器件 VDS ID Rdson @ 10 V Qg (典型)
•NTMFS4833N 30 V191 A2 mΩ39 nC
•NTMFS4834N 30 V130 A3 mΩ33 nC
•NTMFS4835N 30 V104 A3.5 mΩ25 nC
•NTMFS4836N 30 V90 A4 mΩ19.1 nC
•NTMFS4837N 30 V74 A5 mΩ14.2 nC
•NTMFS4839N 30 V66 A6 mΩ12 nC
•NTMFS4841N 30 V57 A7 mΩ11.9 nC
•NTMFS4741N 30 V67 A8 mΩ15 nC
•NTMFS4744N 30 V53 A10 mΩ10 nC
•NTMFS4747N 30 V44 A13 mΩ12 nC

更多关于安森美提供的所有功率MOSFET器件的信息，请访问http://www.onsemi.com.cn 或联系Kathleen Van Tyne (电邮地址: k.vantyne@onsemi.com)。