嵌入式半导体设计与制造领域的全球领导者飞思卡尔半导体宣布，公司的4 Mbit MR2A16A磁阻随机存取存储器（MRAM）设备荣获《Electronic Products》杂志评选的年度产品大奖。随着该存储器技术商业化的成功，飞思卡尔将加快在大小、成本、功耗和系统性能等各方面都得到显著优化的新型电子产品的上市步伐。
MR2A16A设备集非易失性存储器（NVM）与随机存取存储器（RAM）的最佳功能于一身，实现了新型智能电子设备的“瞬时启动”功能与功率损耗保护功能。该设备非常适合各种商业应用，如联网、安全、数据存储、游戏和打印机。该产品旨在为那些将电池用作电源的SRAM单元提供一种经济可靠的单组件替换品。此外，该设备还可用于高速缓冲存储器、配置存储器，以及要求具有MRAM的速度、持久力和非易失性的其它应用。
“能够获得《Electronic Products》杂志这类在业界享有盛誉的刊物的认可，必将进一步增强我们MR2A16A MRAM产品的突破性创新能力和巨大的商业潜能，”飞思卡尔高级副总裁兼汽车和标准产品部总经理Paul Grimme表示，“作为第一家实现了MRAM技术商业化的公司，飞思卡尔已经推出了非易失性存储器产品，我们认为它必将成为未来十年中最重要的裂变性半导体技术之一。”