应用材料推出业界先进的应力工程技术提升45纳米晶体管速度

近日，应用材料公司宣布推出Applied Producer® Celera™ PECVD(等离子体强化化学气相沉积) 系统，它能实现在45纳米及更小技术节点的器件上生产速度更快的晶体管所需要达到的应力水平，是应力工程技术(Strained engineering technology) 的一个巨大进步。该系统结合应用材料的Nanocure™ UV（紫外线）处理技术以及改进型氮化物沉积反应腔，把薄膜张力提高了超过30%，达到了业界领先的1.7GPa等级，并可扩展至超过2.0GPa。在锗硅凹型源漏结构的应用中，同一个沉积反应腔可以沉积最高达3.5GPa的压力薄膜，使驱动电流提高超过85%。
Producer Celera系统的关键是其完整的多级沉积和处理工艺，使得NMOS 器件中PECVD的张力达到了业界最高。整个工艺在同一系统中进行，不必接触空气，使器件可靠性和性能得到了最大化。

应用材料公司资深副总裁，薄膜事业部总经理Farhad Moghadam博士表示：“Producer Celera是第一台在同一主机上整合了应力形成氮化物沉积和UV处理技术的系统，这是和其他产品最重要的不同之处。对于张力的增加能够显著提高性能的NMOS器件来说，它突破了性能提升的障碍。其独特的配置已经经过了验证，并被用于多家客户在全球的生产。”

多重应力工程薄膜经常被先进器件所采用来提高晶体管驱动电流，从而优化其速度和功耗性能。应力薄膜和新型高K/金属栅极技术的结合将进一步推动芯片缩小超越45纳米技术节点，使摩尔定律得以继续生效。

应用材料公司是应力工程解决方案领域内的领导者，具有多项世界级的领先技术。结合Producer Celera系统的氮化物层和应力记忆技术，增加的应力所带来的好处使晶体管具有更高的驱动电流、更快的速度和更低的功耗。Applied Producer HARP系统为STI（浅沟槽隔离）和PMD（金属沉积前介电质层）工艺提供应力形成张力薄膜。Applied Centura® RP Epi 锗硅凹型源漏外延系统在其强劲的100%可选择的工艺中可提高驱动电流超过60%之多。除了在逻辑器件上带来的好处之外，应力工程还能帮助非易失性记忆器件降低漏电流并提高保持时间。欲了解更多信息，请访问：http://www.appliedmaterials.com/products/producer_stress_nitride _4.html