>
首页 » 业界动态 » NEC电子业界最小功耗的高性能16位微控制器

NEC电子业界最小功耗的高性能16位微控制器

作者:  时间:2008-10-13 18:18  来源:
        NEC电子近日完成22款16位闪存微控制器的开发,并于日前推出样品。这22款闪存微控制器主要用于电池驱动的小型、低功耗系统。
  新产品以NEC电子的16位高性能CPU核为基础,大幅度降低了功耗。其主要特征包括:
  1.与NEC电子现有产品相比,在待机状态下可降低约60%功耗,在10MHz工作时可降低约17%、在20MHz下高速工作时可降低约16%的功耗,可满足用电池进行供电的系统,同时兼顾低功耗及高性能的要求;
  2.内置1MHz、8MHz、20MHz的振荡电路,可根据系统需求选择最佳振荡电路,为降低系统成本及实现小型化做贡献;
  3.运算放大器、比较器及高速A/D转换器,是用于集成有传感器功能系统的最佳产品。
  使用新产品,有助于用户在带有传感器功能的系统上同时兼顾低功耗及高性能,有利于小型化及电池寿命的延长,如火灾报警器等电池驱动的安全系统、带防抖功能的数码相机等。
  
 新产品的样品价格根据存储器容量、封装类型、引脚数量的不同而有所差异。其中,闪存容量64Kbyte、RAM 3Kbyte、封装为64pin FPBGA(Fine Pitch Ball Grid Array)的78K0R/KE3-L的样品单价为500日元。新产品的量产预计从2008年底开始, 1年后月产量总计将达100万个。
  
 NEC电子自2004年11月首次推出用闪存存储器替代的全闪存微控制器以来,开发出从8位到32位的品种丰富的微控制器产品,可满足用户在各种领域的需求。其中,在16位微控制器领域,NEC电子于2006年2月推出了“78K0R/KG3”等54款产品以来,深受市场好评。
 近几年,随着环保意识的不断提高,在微控制器应用领域,系统的节能化也成为竞争的优势之一。在这种背景下,用户开始对包括半导体在内的各种器件提出低功耗化要求。NEC电子于2007年10月推出了以“超低功耗”为核心的8款32位微控制器,并不断致力于开发低功耗产品。此次,NEC电子为了满足16位微控制器市场的低功耗化需求,针对今后将出现高增长的电池驱动小型化系统市场,推出了低功耗全闪存微控制器“78K0R/KC3-L”、“78K0R/KD3-L”、“78K0R/KE3-L”。
 
新产品的主要特征如下
  (1)实现业界最小的功耗
  通过改良整体电路,可将待机状态的功耗从现有产品的2.4μA降低到1.0μA,约降低了60%。并且通过降低内部工作电压,将工作频率为10MHz时的功耗从3.9mA降低到3.2mA,约降低了17%;在20MHz高速工作时,功耗从8.5mA降低到7.2mA,约降低了16%。将业界最高水平的能效比(注2)由1.8mW改写为1.5mW,为实现系统整体的低功耗和高性能作出贡献。
  (2)内置可生成三种工作频率的高性能振荡器
  除以往产品的8MHz之外,内置的振荡电路还可生成适合低功耗的1MHz以及发挥高性能的20MHz频率,可根据实际需要选择最佳振荡电路。生成的8MHz和20MHz工作频率其误差低于1%,即使是高精度要求的异步通信也无须外接振荡器。因此,可以降低系统成本及实现小型化。
  (3)内置了各种适用于传感器系统的电路
  为提高将输入的模拟信号转换为数字信号的速度,优化了10位A/D转换器。因此转换信号所需时间从原有产品的6s减少为3s。此外,把以前产品外接的1通道运放器及2通道比较器改为内置,可降低模拟信号的测算成本。
  (4)可在1.8V电压下进行编程
  内置了专用的升压电路,因此向闪存写入程序所必需的电压由原来的2.7V降低到1.8V。从而有效地利用电能,可以延长系统的工作时间。
  
  NEC电子将全新改进的全闪存芯片低功耗技术用于该系列新产品中。为了让新产品成为电池驱动的小型化系统及带有传感器功能产品的最佳选择,NEC电子计划今后进行更积极的营销活动。

 

78K0R/KC3-L

44引脚

UPD78F100y 1

y = 0-3

78K0R/KC3-L

48引脚

UPD78F100y 1

y = 1-3

78K0R/KD3-L

52引脚)

UPD78F100y 1

y = 4-6

78K0R/KE3-L

64引脚)

UPD78F100y 1

y = 7-9

内置存储器

闪存K字节

16

32

48

64

32

48

64

32

48

64

32

48

64

RAMK字节

1

1.5

2

3/2 2

1.5

2

3/2

2

1.5

2

3/2

2

1.5

2

3/2

2

存储器容量

1M 字节

主系统时钟

高速系统时钟

X1(晶体/陶瓷)振荡,外部主系统时钟输入(EXCLK

220 MHzVDD = 2.75.5 V25 MHzVDD = 1.85.5 V

高速内置振荡时钟

内置振荡

1 MHz±5 %, 8 MHz±1 %目标VDD = 1.85.5 V

20 MHz高速内置振荡时钟

内置振荡

20 MHz±1 %(目标)VDD = 2.75.5 V

副系统时钟

XT1晶体振荡

 32.768 kHzTYP.):VDD = 1.85.5 V

低速内置振荡时钟

WDT专用)

内置振荡

 30 kHzTYP.):VDD = 1.85.5 V

通用寄存器

8×328×8个寄存器×4组)

最小命令执行时间

0.05ms(高速系统时间:fMX = 20 MHz工作时)

0.125ms(高速内置振荡时钟:fIH = 8 MHzTYP.)工作时)

61ms(副系统时钟:fSUB = 32.768 kHz工作时)

命令设定

8位运算,16位运算

・乘法运算(8×8

・位操作(置位、复位、测试、布尔演算)等

I/O

合计

37

41

45

55

CMOS输入/输出

33

34

38

48

CMOS输入

4

4

4

4

CMOS输出

1

1

1

N-ch开漏输入/输出(耐压6 V

2

2

2

时钟

16定时器                                    8通道

・看门狗时器                                 1通道

・实时时钟(RTC)                             1通道

 

时钟输出

8路(PWM输出:73

 

RTC输出

2

1Hz(副系统时钟:fSUB = 32.768 kHz

512Hz16.384kHz32.768kHz副系统时钟fSUB = 32.768 kHz

时钟输出/蜂鸣器输出

1

1

2

2.44 kHz, 4.88 kHz, 9.76 kHz, 1.25 MHz, 2.5 MHz, 5 MHz, 10 MHz周边硬件时钟:fMAIN = 20 MHz工作时

256 Hz, 512 Hz, 1.024 kHz, 2.048 kHz, 4.096 kHz, 8.192 kHz, 16.384 kHz, 32.768 kHz(子系统时钟:fSUB = 32.768 kHz工作时

10精度A/D转换器

AVREF = 1.85.5 V

10通道

11通道

11通道

12通道

串行接口

CSI2通道/UART支持LIN-bus):1通道

CSI1通道/UART1通道简易I2C1通道

 

I2C总线

1通道

1通道

1通道

乘除法器

16×16 = 32位(乘法运算)

32÷32 = 32位(除法运算)

DMA控制

2通道

中断源

内部

24

25

25

25

外部

9

按键中断

6通道(KR0-KR5

8通道(KR0-KR7

复位

RESET引脚复位

・看门狗计时器的内部复位

・上电复位的内部复位

・低电压检测电路的内部复位

・执行非法指令的内部复位4

上电清零电路

・上电复位:1.61±0.09 V

・掉电复位:1.59±0.09 V

低电压检电路

1.91 V4.22 V16阶段

片上调试功能

电源电压

VDD = 1.85.5 V

工作周围环境温度

TA = 40~+85


相关推荐

AMD与英特尔“芯”仇旧恨:没完没了

AMD  CPU  2014-01-17

晶心科技日本初试金石 成功获得上市公司大厂青睐

晶心  CPU  2013-11-08

解读:为什么中国IC业市场由国外企业主导?

CPU  桥接芯片  2013-09-05

全球最大IC市场徒有其表?国产难以替代进口

CPU  桥接芯片  2013-08-28

龙芯中科胡伟武:寻找突破CPU瓶颈的举国体制

龙芯  CPU  2013-08-23

中国IC业“芯”结求解:进口替代难见起色?

IC  CPU  2013-08-23
在线研讨会
焦点