首页 » 业界动态 » 新款MicroFET™ MOSFET延长电池寿命

新款MicroFET™ MOSFET延长电池寿命

作者:  时间:2009-03-23 16:46  来源:

快捷半导体公司 (Fairchild Semiconductor)推出FDMA1024NZ和FDMA410NZ 双N信道和单N信道MOSFET器件,可延长手机、电动牙刷和刮胡刀等应用中的电池寿命。

这两款产品采用具有高热效的2mm x 2mm x 0.8mm MicroFET MLP封装,适用于空间受限的应用,并且还具有出色的功耗和超低的RDS(ON) ,能大幅延长电池的寿命,这些高效的MicroFET MOSFET将可因应现今功能丰富的可携式应用所面临到的功耗挑战。

FDMA410NZ为可携式产品设计人员可提供业界最低的RDS(ON),4.5V时为23 mΩ,采用纤细2mm x 2mm封装,两款产品均可在VGS低至1.5V时达到所保证的RDS(ON)额定值,这使得它们适用于锂离子或一次电池应用(primary cell battery applications)。

快捷半导体性能先进的PowerTrench MOSFET制程技术可实现非常低的RDS(on) 值、总栅极电荷(QG) 和米勒电荷(QGD),从而获得出色的开关性能和热效率。与传统的MOSFET封装相比,其先进的MicroFET封装则具有更卓越的功耗和传导损耗特性。

快捷半导体具有业界阵容最坚强的高热效、超紧凑、薄型2mm x 2mm器件,适用于各种低功耗应用。这些易于使用、高性能、而且节省空间的MOSFET是低压开关、电源管理和电池充电系统的理想选择。

价格 (订购1000个,每个) :  每个FDMA1024NZ器件为0.42美元
                每个FDMA410NZ器件为0.38美元
供货: 样品供应中
交货期: 收到订单后10至12周内


要获得更多讯息,请造访快捷半导体的网页,网址为:www.fairchildsemi.com,或联络台湾快捷半导体,电话为 (886-2) 2651-6488;或香港办事处,电话为 (852) 2722 8338。

相关推荐

找出能量泄漏,降低嵌入式系统功耗

功耗  2011-07-21

AP3765在超低待机功耗充电器方案上的应用

充电器  功耗  AP376X  2011-02-10

如何控制IC的功耗

功耗  RTL  2011-01-21

在嵌入式设计中降低CPLD的功耗

功耗  CPLD  嵌入式  2010-05-06

2010 年将是LED背光液晶电视年?

LED  液晶电视  功耗  2009-12-28

美国国家半导体推出全新白光LED驱动器,可以灵活控制便携式系统的显示屏背光,并降低55%的功耗

在线研讨会
焦点