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IR推出新型逻辑电平沟道MOSFET

作者:  时间:2009-05-05 21:11  来源:

全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出新系列逻辑电平栅极驱动沟道HEXFET功率MOSFET。该器件具有基准通态电阻 (RDS(on)) 和高封装电流额定值,适用于高功率DC电机和电动工具、工业电池及电源应用。

新系列基准MOSFET采用了IR最新的沟道技术,可在4.5V Vgs下实现非常低的RDS(on) ,显著改善了热效率。此外,这些器件具有更高的电流额定值,多余瞬变可以带来更多防护频带,并可减少由多个MOSFET共享高电流的并行拓扑结构的元件数目。与典型封装额定值相比,由于封装电流额定值高达195A,TO-220、D2PAK和TO-262封装的改善超过了60%;与标准D2PAK封装相比,7引脚D2PAK进一步降低了多达16%的RDS(on) ,功能更为完善。

IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示:“新推出的逻辑电平栅极驱动沟道MOSFET具有基准RDS(on) ,能够由微控制器或弱电池驱动,提升其在轻负载条件下的效率。这些新元件非常适合高电流DC-DC转换和DC电机驱动应用。”

新型逻辑电平沟道MOSFET系列的电压范围为40V至100V。该系列已获得工业级和MSL1潮湿敏感度认证,更具备所有标准功率封装,包括TO-220、D2PAK、TO-262 以及7引脚D2PAK。新元件不含铅并符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。
 
产品的基本规格如下:

元件编号

封装

Bvdss (V) 

4.5Vgs

最大RDS(on) (mΩ)

25°C 下的Id (A) 

4.5Vgs下的

典型Qg (nC)

IRLS3034-7PPBF

D2PAK-7

40

1.7

*240

108

IRLB3034PBF

TO-220

40

2.0

*195

108

IRLS3034PBF

D2PAK

40

2.0

*195

108

IRLS3036-7PPBF

D2PAK-7

60

2.2

*240

91

IRLB3036PBF

TO-220

60

2.8

*195

91

IRLS3036PBF

D2PAK

60

2.8

*195

91

IRLS4030-7PPBF

D2PAK-7

100

4.1

190

87

IRLB4030PBF

TO-220

100

4.5

180

87

IRLS4030PBF

D2PAK

100

4.5

180

87

*封装有所限制

新器件现已开始供应。产品详细数据可浏览IR网站:www.irf.com

 

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