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光通信芯片将趋向于采用CMOS工艺

作者:  时间:2009-07-02 09:34  来源:
在3G之后,FTTx将是光通信建设的又一高潮,我们将进入一个全新的宽带时代。从目前三大运营商对FTTx的部署来看,光节点会越来越多,可预见不久的将来出现光通信新一轮井喷式的发展。EPON、GPON是目前FTTx的主流网络方案,有关PON网络的协议、技术、产品备受关注,迅速得到发展。PON网络的协议芯片、PON网络终端模块的突发模式收发芯片的需求将快速增长。

厦门优迅高速芯片有限公司是一家Fabless(无晶圆)IC设计公司,专业从事光通信前端高速收发集成电路芯片的设计,采用先进的、相对低成本的深亚微米(0.13μm~0.35μm)CMOS(互补型金属氧化物半导体)工艺和最新的SiGeBiCMOS工艺技术,在国内自主开发,正向设计具有100%自主知识产权的高端通信集成电路芯片。

目前国产芯片的性能指标完全能达到国际主流芯片的高品质要求,具有很高的性价比。但是,由于国内芯片的品牌知名度不够,在同国外同类的产品竞争中还是处于劣势。这主要还是观念上的问题,许多用户已经习惯了用进口的芯片,而且很多人可能都会觉得这么高端的芯片国内还做不好。其实我们和国外大部分 IC厂家是一样的,都是Fabl essIC设计公司,主要设计工程师来自硅谷,具有多年的高端IC设计经验。晶圆生产是委托给专业的代工厂生产,包括芯片的封装、测试都是这样。只是大家选用的工艺可能不一样,我们率先采用纯CMOS工艺,国外厂商好多还是采用BiCMOS工艺。当然,整个IC行业的发展趋势是能用纯CMOS工艺的都会尽量采用 CMOS工艺,因为CMOS成本低、集成度高、稳定性好。

随着10GGPON/EPON标准协议的发布,10G芯片的需求也将快速增长,标准的光模块XFP、SFP+、X2、XENPAK等已经做到10G。10GGPON/EPON标准预计今年年内会颁布。40G主要用于长距离干线的光传输。相对于10G,40G就需要做革命性的创新,对IC芯片是巨大的挑战,对前端的光电芯片更是巨大的挑战,比如激光器就无法采用直接调制,必须采用光波导间接调制等等。

跟其他IC芯片产品一样,光通信芯片的发展方向也是要不断提高其集成度,增加更多的功能,不断降低成本,会有更多的芯片放弃原先的Bipolar、BiCMOS工艺,而采用先进的相对低成本的CMOS工艺。随着网络智能化的提升,会增加网络诊断功能、控制功能,IC芯片就需要集成许多数字电路,做成数模混合芯片,甚至SoC芯片。随着宽带需求的增加,传输速率越来越高,需要不断开发更高速率的芯片,10G、40G,甚至更高速率。

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