法国Crolles，2009年7月19日 —— 半导体世界领先制造商之一意法半导体（纽约证券交易所代码：STM）和法国电子信息技术实验室CEA-LETI宣布，法国经济、工业和就业部长，以及国家和地区政府的代表、CEA-LETI和意法半导体的管理层，齐聚法国格勒诺布尔（Grenoble）市的Crolles分公司，共同庆祝Nano2012研发项目正式启动。IBM的代表也参加了启动仪式。IBM公司是意法半导体和CEA-LETI的重要合作伙伴，与双方签署了重要的技术开发协议。
Nano2012是由意法半导体领导的国家/私营战略研发项目，聚集研究院和工业合作伙伴，得到法国国家、地区和本地政府的财政支持，旨在于创建世界最先进的研发集群，开发新一代纳电子级别的半导体技术，用于制造结构尺寸大约为几十纳米（1纳米等于十亿分之一米）的芯片。
通过为欧洲企业提供从32nm一直到22nm的最先进的具有竞争力的CMOS技术，Nano2012合作项目以及其它的世界领先的合作项目（如CATRENE）将对欧洲电子工业的持续增长做出重大贡献。Nano2012项目始于2008年1月1日，预定到2012年12月31日告一段落，法国政府机构为这个五年期项目提供部分资金。这个项目还有其它的参与者，包括INRIA（法国国家计算机科学与控制研究院）、CNRS（国家科研中心）、大学和多家中小企业。
意法半导体和CEA-LETI有很长的研发合作历史。1992年，双方首次合作建立Crolles研发中心。作为领先的研究实验室，CEA-LETI是学术研究与以市场为导向的意法半导体工业研发之间长期的重要交流桥梁。2007年7月，意法半导体加入以IBM公司在纽约East Fishkill和 Albany的两个研发中心为核心的半导体合作开发联盟，这两个中心开发32到 22nm的低功耗CMOS核心制程。同时IBM加盟意法半导体的Crolles研发中心，开发增值专用CMOS衍生技术。此外，在CMOS技术所需的材料和制程开发方面，CEA-LETI和IBM具有强大的实力和互补性的专业知识，双方在CEA-LETI的格勒诺布尔（法国）分公司、IBM的 East Fishkill工厂（纽约）、意法半导体的 Crolles分公司（法国）以及Albany NanoTech研究中心（纽约）合作开发 22nm以及22nm以下的先进制程。
自Nano2012项目于2008年1月启动以来，意法半导体和IBM交换Crolles和East Fishkill两地的研究人员，并在多个项目上与CEA-LETI的研究人员开展合作，包括32nm和28 nm CMOS核心制程和无线通信用45nm RF（射频）衍生技术，和汽车电子与智能卡用65nm非易失性存储器衍生技术。这些技术可降低现有通信设备、消费电子、计算机和汽车电子的功耗，延长电池使用时间，提高性能，为终端用户提供更多功能和实用性。
Nano2012项目的工作重点是为低功耗的专用CMOS衍生技术开发技术平台。一个技术平台包括把数十亿支晶体管集成到一颗芯片内所采用的制程，以及单元库和利用这个制程高效设计尖端电路的设计方法。利用在Crolles和格勒诺布尔的世界一流的研发团队，意法半导体及合作伙伴已位居这个领域的世界前列，Nano2012的重要目标之一是扩大欧洲在此一领域的领先地位。
增值专用衍生技术是标准CMOS技术的重要差异化技术，使位于Grenoble-Isere的研发集群在这个领域保持领先水平是Nano2012项目的另一重要目标。