砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)支撑光纤网络高增长

    Strategy Analytics 发布最新研究报告“光纤模拟芯片市场机会：2008-2013”。化合物半导体正在越来越多地被应用在更高价值、更高成长性的细分产品市场上。在不断增长的光纤模拟芯片市场，硅 (Silicon)，硅化锗 (SiGe)，砷化镓 (GaAs)和磷化铟 (InP)技术各有所长，将争夺化合物半导体市场份额。报告提供对光纤模拟芯片，包括跨阻抗放大器 (TIAs - transimpedance amplifiers)，激光驱动器 (laser drivers) 和后置/限幅放大器 (post/limiting amplifiers) 的增长预测。

    速度小于 2.5 Gbps 的旧版网络目前仍主导市场份额，但是在预测期内将增长缓慢。受到市场对带宽需求不断增长的驱动，10 Gbps 网络将成为行业的事实标准，在2011-2013年期间，其复合年增长率将达到20％。随着市场不断推进向更高网速的发展，40 Gbps 网络也会出现强势增长。

    Strategy Analytics 的 GaAs 和化合物半导体技术市场研究部主管 Asif Anwar 认为：“相比其它大多数通信市场，光纤抗市场风险的能力更强。这是因为市场对更多、更快的带宽需求似乎总不满足，而铺设光纤的资本支出也早已到位。Strategy Analytics 预期，基于砷化镓 (GaAs) 和磷化铟 (InP) 的激光驱动器和 TIAs 是推出更高速的 10 Gbps, 40 Gbps，乃至 100 Gbps 网络的关键支持技术。”

    光纤模拟芯片市场需求将受益于消费者和企业用户对“高带宽应用”使用的不断增长，这些应用包括：

    -- 基于IP (Internet Protocol)的语音，视频和数据应用
    -- 高带宽视频服务，如高清电视(HDTV) 和视频点播 (VOD)
    -- 企业存储网络
    -- 高成长的 3G 和 4G 无线标准的更高带宽回程