台积电40/45纳米制程传出好消息，对岸的晶圆代工厂中芯国际也紧跟在后！中芯国际表示，45纳米搭上IBM技术阵营的共通平台 (Common Platform)，进展也将愈追愈快，预计2009年底将正式投产(Tape-out)，2010年放量生产。中芯国际认为在机器设备折旧摊提持续下降与高阶制程加入双重效果下，2010年期待实现获利。
IBM阵营愈来愈壮大，除了三星电子(Samsung Electronics)、新加坡特许(Chartered)与全球晶圆(Global Foundries)以外，中芯国际也在45纳米世代制程起加入，预料搭上这班技术的列车，将会促使中芯追赶先进制程的速度加快。目前中芯的45纳米芯片已经通过客户验证，预料2009年底前正式投产。
中芯在日前首次举办的国际分析师日中表示，退出存储器市场的策略不变，将全速逻辑IC制程世代挺进，其中45纳米年底投产是重头戏，而预计到了2010年 45纳米若顺利量产将可望挹注中芯国际营收。目前90纳米、0.13微米的先进制程已经占中芯国际营收比重约45%，而0.18微米以下主流制程的比重约 55%。
中芯国际表示，来自北美客户的订单约60%，对于0.13微米先进制程的需求依旧强劲；而相当看好大陆本地客户对于0.13微米先进制程的需求，甚至还有供不应求的状况，在大陆内地市场，中芯国际不断扩张市占率，目前来自大中华地区的客户比重已经占营收35%。
中芯国际24日也宣布，采用Virage Logic嵌入式一项多次可程序设(MTP)的非挥发性存储器 (NVM) 解决方案，应用于射频识别(RFID)芯片之中。中芯表示，目前此IP正在0.18微米低漏电(LL)制程技术开发中，能够提供高性能射频。