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IR推出采用 PQFN 封装和铜夹技术的新产品

作者:  时间:2010-07-02 11:01  来源:

全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier,简称 IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 产品组合,提供完整的中压器件系列,它们采用5x6 mm PQFN封装及优化铜夹和焊接芯片技术。

 

新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技术实现基准性能,适用于网络和电信设备的DC-DC转换器、AC-DC开关电源(SMPS电机驱动开关等开关应用。由于新器件满足40V250V的宽泛电压,所以可提供不同水平的导通电阻(RDS(on))和栅极电荷(Qg),为客户的特定应用提供优化的性能和更低成本。

 

IR 亚洲区销售副总裁潘大伟表示:由于新器件的尺寸仅为0.9mm,并具有标准引脚,可提供高额定电流和低导通电阻,因此与需要多个并行元件的解决方案相比,具有更高的效率、功率密度和可靠性,因而非常适合电路板空间狭小的开关应用。

 

所有器件都具有低热阻(不到0.5 °C/W),符合MSL1 标准,所采用的环保材料既不含铅、溴或卤,也符合有害物质管制指令 (RoHS)

 

产品基本规格

 

器件编号

封装

电压

电流

导通电阻

栅极电荷类型

栅极

IRFH5004TRPBF

PQFN 5x6mm

40 V

100A

2.6 mOhm

73 nC

标准

IRFH5006TRPBF

PQFN 5x6mm

60 V

100A

4.1 mOhm

67 nC

标准

IRFH5106TRPBF

PQFN 5x6mm

60 V

100A

5.6 mOhm

50nC

标准

IRFH5206TRPBF

PQFN 5x6mm

60 V

98A

6.7 mOhm

40 nC

标准

IRFH5406TRPBF

PQFN 5x6mm

60 V

40A

14.4 mOhm

23 nC

标准

IRFH5007TRPBF

PQFN 5x6mm

75 V

100A

5.9 mOhm

65 nC

标准

IRFH5207TRPBF

PQFN 5x6mm

75 V

71A

9.6 mOhm

39 nC

标准

IRFH5010TRPBF

PQFN 5x6mm

100 V

100A

9.0 mOhm

65 nC

标准

IRFH5110TRPBF

PQFN 5x6mm

100 V

63A

12.4 mOhm

48 nC

标准

IRFH5210TRPBF

PQFN 5x6mm

100 V

55A

14.9 mOhm

39 nC

标准

IRFH5015TRPBF

PQFN 5x6mm

150 V

56A

31 mOhm

33 nC

标准

IRFH5020TRPBF

PQFN 5x6mm

200 V

41A

59 mOhm

36 nC

标准

IRLH5034TRPBF

PQFN 5x6mm

40 V

100A

最大2.4 mOhm

43 nC

逻辑电平

IRLH5036TRPBF

PQFN 5x6mm

60 V

100A

最大4.4 mOhm

44 nC

逻辑电平

IRLH5030TRPBF

PQFN 5x6mm

100 V

100A

最大9.0 mOhm

44 nC

逻辑电平

 

新器件现已接受订单,数据表和应用说明已刊登于 IR 的网站 http://www.irf.com

IR简介

 

国际整流器公司 (简称 IR,纽约证交所代号 IRF) 是全球功率半导体和管理方案领导厂商。IR 的模拟及混合信号集成电路、先进电路器件、集成功率系统和器件广泛应用于驱动高性能计算设备及降低电机的能耗 (电机是全球最大耗能设备) ,是众多国际知名厂商开发下一代计算机、节能电器、照明设备、汽车、卫星系统、宇航及国防系统的电源管理基准。

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