IR推出全新HEXFET功率MOSFET系列
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出全新HEXFET®功率MOSFET系列。该器件采用业界标准SOT-23封装，具有超低导通电阻 (RDS(on)) ，适用于电池充电及放电开关、系统和负载开关、轻载电机驱动，以及电信设备等应用。
新款SOT-23 MOSFET 器件采用IR最新的中压硅技术，通过大幅降低90% RDS(on)显著改善了电流处理能力，为客户的特定应用优化了性能及价格。
IR 亚太区销售副总裁潘大伟表示：“这个全新的SOT-23 MOSFET系列支持从 -30V至100V的宽电压范围，并提供不同水平的 RDS(on) 和栅极电荷 (Qg) ，从而为追求紧凑、高效率及低成本解决方案的客户带来更佳、更广泛的设计选择。”
新器件达到第一级潮湿敏感度 (MSL1) 业界标准，所采用的材料不含铅，并符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。
产品规格
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器件编号 |
BVDSS |
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10V下的 典型 / 最大RDS(on) (mΩ) |
4.5V下的 典型 / 最大RDS(on) (mΩ) |
典型Qg |
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IRLML9301TRPBF |
-30V |
3.6 A |
51 / 64 |
82 / 103 |
4.8 nC |
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IRLML9303TRPBF |
-30V |
2.3 A |
135 / 165 |
220 / 270 |
2.0 nC |
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IRLML0030TRPBF |
30V |
5.2 A |
22 / 27 |
33 / 40 |
2.6 nC |
|
IRLML2030TRPBF |
30V |
2.7 A |
80 / 100 |
123 / 154 |
1.0 nC |
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IRLML0040TRPBF |
40V |
3.6 A |
44 / 56 |
62 / 78 |
2.6 nC |
|
IRLML0060TRPBF |
60V |
2.7 A |
78 / 92 |
98 / 116 |
2.5 nC |
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IRLML2060TRPBF |
60V |
1.2 A |
356 / 460 |
475 / 620 |
0.4 nC |
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IRLML0100TRPBF |
100V |
1.6 A |
178 / 220 |
190 / 235 |
2.5 nC |
新器件现正接受批量订单，相关数据也已刊登于IR的网站 www.irf.com。
IR简介
国际整流器公司 (简称 IR，纽约证交所代号 IRF) 是全球功率半导体和管理方案领导厂商。IR 的模拟及混合信号集成电路、先进电路器件、集成功率系统和器件广泛应用于驱动高性能计算设备及降低电机的能耗 (电机是全球最大耗能设备) ，是众多国际知名厂商开发下一代计算机、节能电器、照明设备、汽车、卫星系统、宇航及国防系统的电源管理基准。