英飞凌新一代高压MOSFET设立能效新标准

　　英飞凌的最新一代高压CoolMOS™ MOSFET取得了又一项创新，设立了能效的新标准。在德国纽伦堡举办的PCIM Europe 2011展会(5月17日至19日)上，英飞凌展出了全新推出的650V CoolMOS™ CFD2，它是世界上第一款漏源击穿电压为650V并且集成了快速体二极管的高压晶体管。这个新的CFD2器件延续了600V CFD产品的优点，不仅可以提高能效，而且具备更软的交换功能，从而降低了电磁干扰(EMI)，提升产品的竞争优势。

　　650V CoolMOS™ CFD2集快速开关超级结技术MOSFET的优越性于一身，包括更出色的轻载效率、更低栅极电荷、易于应用和出众的可靠性等。此外，该产品具备更低单位面积通态电阻和更低容性开关损耗，允许轻松控制开关行为，并且提供了当前市场上最结实耐用的体二极管。相比于前代产品600V CFD，新推出的CoolMOS™ CFD2产品还降低了系统成本。总体而言，它是适用于谐振开关拓扑的最优选择。

　　英飞凌预计，650V CoolMOS™ CFD2的最大潜在市场包括太阳能逆变器、服务器、照明装置和用于通信系统的开关电源(SMPS)等。

　　英飞凌科技高压MOS产品线经理Jan-Willem Reynaerts指出，“凭借我们具有革命意义的CoolMOS™技术，英飞凌已成为能效及功率密度方面的市场领袖。650V CFD2解决方案进一步壮大了CoolMOS™产品阵营，并且设立了新的行业标准，例如，将光伏逆变器的效率提高至98.1%。”

　　供货情况及定价

　　IPW65R080CFD(650V、导通电阻80毫欧姆、TO247封装)样片现已开始供货。起订量为1万颗时，单价为6.00美元。

　　英飞凌650V CoolMOS™ CFD2已在德国纽伦堡举办的PCIM Europe 2011展会(5月17日至19日)上精彩亮相(12号展厅404号展台)。

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