在德国纽伦堡举办的PCIM Europe 2011展会(
国际能源机构(IEA)预计，今后20年，全球能耗将增加35%以上。以电力形式消耗的能源，占全球总能耗的三分之一左右。电力一般要经过远距离输送，这个过程往往会损耗大量电力。巧妙地利用功率半导体，能够最大限度地降低发电、输配电和电源转换等环节的电力损耗，从而消除这种能源损失。利用这种节能芯片还可以大大提高电子设备和机器的能效，以确保最大限度地节省能源。随着全球人口数量不断增长，节能的重要性日益凸显。从某种意义上讲，提高能效也是最大的能源来源之一。作为全球领先的功率半导体供应商，英飞凌通过提供IGBT(绝缘栅双极型晶体管)、CoolMOS™、OptiMOS™和碳化硅等产品，为降低全球能耗作出了巨大贡献。诸如电视机、计算机、电源装置、游戏机、服务器、电机和机器等各类电子和电气设备纷纷使用了英飞凌的节能芯片。
英飞凌科技副总裁兼电源管理和分立式器件业务部总经理Andreas Urschitz表示：“利用英飞凌节能半导体解决方案，最多可将全球总能耗降低25%。我们的产品的节能效果甚至超过了国际能效标准，因而能为我们的客户带来明显的竞争优势。”
英飞凌在PCIM Europe 2011展会上展出的电源管理产品和解决方案一览：
最新RC-D快速IGBT以很高的开关频率实现了最高达96%的能效，同时缩小变频器的尺寸并降低其成本
英飞凌的逆导型(RC)600V IGBT家族又添两名新成员。这两款新的功率开关器件可在目标应用中实现最高达96%的能效。利用这些全新推出的RC-D快速IGBT，可以设计出更高能效的电机驱动家用电器，它们使用尺寸更小的元件，因此成本比同类系统更低。
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英飞凌最新推出市场领先的集成快速体二极管的650V CoolMOS™ CFD2产品，可将诸如服务器、太阳能设备、电信机房开关电源和照明装置等设备的能效提升至新的高度
英飞凌的最新一代高压CoolMOS™ MOSFET实现了又一项创新，设立了能源效率的新标准。英飞凌展出了全新650V CoolMOS™ CFD2，它是世界上第一款漏源击穿电压为650V并且集成了快速体二极管的高压晶体管。这个新的CFD2器件延续了600V CFD产品的优点，不仅可以提高能效，而且具备更软的换流功能，从而降低了电磁干扰(EMI)，提升产品的竞争优势。
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英飞凌为实现高能效电源转换设计助一臂之力：中压系列OptiMOS™进一步完善CanPAK™产品阵容
英飞凌新推出的60V至150V CanPAK™，进一步完善了其OptiMOS™功率MOSFET产品阵容。利用该产品，电源系统工程师可以优化设计，实现更高能效和卓越的散热性能，同时最大限度地缩小占板空间。较之于标准分立式封装，CanPAK™金属“罐”结构有助于实现双面散热，并且几乎不会产生封装寄生电感。CanPAK™的优势与OptiMOS™家族的杰出性能相得益彰。OptiMOS™产品可在整个电压范围内实现行业最低的RDS(on)和Qg 。对于诸如面向电信应用的隔离式DC-DC电源转换器，以及太阳能微型逆变器和太阳能系统中使用的MPP追踪器等快速开关应用而言，很低的栅极电荷(Qg)意味着最低的开关损耗。而对于诸如电机控制等高电流应用场合，英飞凌CanPAK™产品具备业界最低的RDS(on)，可以实现最低的功率损耗。
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碳化硅肖特基二极管thinQ!™——采用TO封装的高能效1200V器件
随着时间的推移，英飞凌推出的第二代碳化硅肖特基二极管，已经成为不成文的行业标准。现在，英飞凌进一步扩充了这个本已十分广博的产品组合，推出了采用新的TO-247HC(长爬电距离)封装的1200V碳化硅二极管。
这种新的封装完全兼容行业标准TO-247，因而可轻松用于现有的设计，而无需付出额外的努力。更长爬电距离，可提高系统安全性，有效防止系统内部的灰尘或污垢导致的短路，特别是电弧。这样，就不需要使用额外的化学(硅胶或硅霜)或机械(护套或箔)手段来避免封装引线之间存在任何污染，从而充分发挥快速的精益生产工艺的所有优势。碳化硅肖特基二极管thinQ™系列的目标应用包括太阳能系统、UPS、SMPS和电机逆变器等，可全面满足客户不断提高能效和功率密度的需求。
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全新60V逻辑电平OptiMOS“606”系列小信号MOSFET
英飞凌以提供适用于汽车(AEC Q101)的品质优异的小信号MOSFET而闻名于世。现在，新推出的60V逻辑电平OptiMOS“606”家族，进一步丰富了这个产品组合。这种60毫欧姆逻辑电平器件，具备出类拔萃的单位面积RDSon，并且具有很低的Qg，可以实现更好的轻载效率。这种产品采用流行的SOT89、TSOP6和SC59封装，特别适于强调节省空间、降低功耗的应用。目标应用包括，作为低功率DC/DC电源转换器的外接FET、在用于电动汽车、混合动力汽车和外充电式混合动力汽车的电池能量控制模块(BECM)中发挥平衡作用，以及用作多种微控制器的外接FET。