全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 扩展其PQFN封装系列,推出PQFN
新款PQFN2x2和PQFN3.3x3.3双器件在每一个封装上都配备了一对功率MOSFET, 提供共汲极和半桥拓扑的灵活性。这些器件利用IR最新的低压硅技术 (N和P) 来实现超低损耗。例如,IRLHS6276在只有
IR亚太区销售副总裁潘大伟表示:“新型PQFN双器件适用于开关和直流应用,为客户提供高密度、低成本的解决方案。如今,IR新增了这些封装,能够提供一系列低压PQFN产品,包括N通道和P通道器件,20V和30V器件,最小驱动能力达到4.5V或2.5V的器件,以及单器件或双器件,它们都拥有极低的导通电阻。”
这个双PQFN系列包括专为高侧负荷开关优化的P通道器件,可提供更为简便的驱动解决方案。这些器件的封装厚度不到
产品规格 器件编号 封装 BV (V) 最大Vgs 在10V下的 典型/最大导通电阻 (mΩ) 在4.5V下的 典型/最大导通电阻 (mΩ) 在2.5V下的 典型/最大导通电阻 (mΩ) IRFHS9351 PQFN 2x2 -30V +/- 20 V 135 / 170 235 / 290 - IRLHS6276 PQFN 2x2 +20V +/- 12 V - 33 / 45 46 / 62 IRLHS6376 PQFN 2x2 +30V +/- 12 V - 48 / 63 61 / 82 IRFHM8363 PQFN 3.3x3.3 +30V +/- 20 V 12/15 16 / 21 -