在过去30年中实现了超过两个数量级的性能改善以后，硅MOSFET现在已接近成熟。进步是渐进的，但进步的成本已经大幅飙升。因此，为了满足即将要到来的功率挑战，业界已经开发出了新的材料和晶体管结构。尽管碳化硅(SiC) FET(场效应管)在过去10年里一直在发展以克服硅的缺点，但他们碰到极大的成本问题。而且，与硅不同，碳化硅没有很好的可扩展性。
由于看到业界需要一个新的突破性技术，IR的科学家和工程师们已经在开发革命性的基于硅衬底氮化镓（GaN-on-Si）的功率器件技术平台上处于领先地位，IR将它标示为GaNpowIR，可以提供比现有硅器件高出一个数量级的性能，而且它在商业上是可行的。从本质上讲，它允许采用大批量CMOS制造工艺制造基于GaN-on-Si 的HEMT。IR商业上可行的GaNpowIR技术现在已经可以用于商业产品开发。第一款产品原型已在去年11月的德国慕尼黑电子展上进行了演示，预计第一款基于氮化镓的商用产品将在2009年底之前投入生产。初期生产将利用低成本、高质量的150毫米硅晶圆衬底。
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