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| 厂商LOGO |
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| 厂商名称(中文) |
英飞凌科技（中国）有限公司 |
| 厂商名称(英文) |
Infineon Technologies (China) Co., Ltd |
| 公司地址 |
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| 公司网址 |
www.infineon.com |
| 电 话 |
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| 传 真 |
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| 参与评选类别 |
功率元器件 |
| 产品名称(中文) |
带场终止层沟槽栅逆导型IGBT |
| 产品名称(英文) |
Discrete TrenchStop Reverse Conducting IGBT |
| 产品型号 |
IHW20N120R3 |
| 产品图片 |
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| 参选公司简介 |
总部位于德国Neubiberg的英飞凌科技股份公司，为现代社会的三大科技挑战领域——高能效、连通性和安全性提供半导体和系统解决方案。2008财年（截止到9月份），公司实现销售额43亿欧元，在全球拥有约29,100名雇员。英飞凌科技公司的业务遍及全球，在美国苗必达、亚太地区的新加坡和日本东京等地拥有分支机构。英飞凌公司已列入法兰克福股票交易所的DAX指数，并在纽约股票交易所挂牌上市，股票代号：IFX。英飞凌持有全球知名的DRAM内存产品供应商奇梦达77.5%的股份。奇梦搭也已在纽约股票交易市场独立挂牌上市，股票代号：QI。
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| 参选产品简介 |
- 逆导型带场终止层沟槽栅技术IGBT,单晶片实现低导通压降体二极管,特别为软开关打造
- 薄硅片技术,更低的Eoff
- 低饱和压降,1200V的IHW20N120R3饱和压降仅为1.7V
- 高可靠,稳定的温度特性
- 严格遵循JEDEC J-STD-020和JESD-022标准
- Vce正温度系数,方便并联
- 结温可达至175oC,更好的温度特性
- 软快速开关特性帮助降低EMI干扰
- 优化体二极管特性,更适合软开关应用场合
- 体二极管热阻与IGBT一样
- 体二极管的电流级别与IGBT一样
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产品详细说明
(白皮书，数据表) |
 ADP2121数据手册中文.pdf (推荐使用迅雷等软件下载) |
| 产品应用实例 |
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