| 厂商LOGO |
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| 厂商名称(中文) |
Vishay Intertechnology, Inc. |
| 厂商名称(英文) |
Vishay Intertechnology, Inc. |
| 公司地址 |
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| 公司网址 |
www.vishay.com |
| 电 话 |
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| 传 真 |
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| 参与评选类别 |
功率元器件 |
| 产品名称(中文) |
功率 MOSFET |
| 产品名称(英文) |
Power MOSFET |
| 产品型号 |
SiR476DP |
| 产品图片 |
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| 参选公司简介 |
Vishay 成立于 1962 年。1985 年，从一家新成立的公司发展成为这些原产品的全球领先制造商，由此 Vishay 开始了一系列战略收购，以使自己成为可提供广泛电子元件的制造商。目前，Vishay 已成为堪称全球最大的分立半导体与无源电子元件制造商之一。
Vishay 元件几乎用于工业、计算机、汽车、消费、电信、军事、航空及医疗市场的各种类型的电子设备中。Vishay 具有多样化的半导体及无源元件系列，其中包括整流器、二极管、MOSFET、光电子产品、某些集成电路 (IC)、电阻器、电容器、电感器及转换器。这可使 Vishay 提供“一站式”服务，以及为每个客户设计方案提供众多不同部件。
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| 参选产品简介 |
该SiR476DP在 4.5V 栅极驱动时最大导通电阻为 2.1mΩ，在 10V 栅极驱动时最大导通电阻为 1.7mΩ。导通电阻与栅极电荷乘积是直流到直流转换器应用中针对 MOSFET 的关键优值 (FOM)，在 4.5V 时为 89.25nC。
与为实现低导通损失及低开关损失而优化的最接近的同类竞争器件相比，这些规格意味着在 4.5V 及 10V 时导通电阻分别低 32% 与 15%，FOM 低 42%。更低的导通电阻及栅极电荷可转变成更低的传导损失及开关损失。
Siliconix SiR476DP将在同步降压转换器以及二级同步整流及 OR-ing 应用中作为低端 MOSFET。其低导通及低开关损失将使稳压器模块 (VRM)、服务器及使用负载点 (POL) 功率转换的众多系统实现功效更高且更节省空间的设计。
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产品详细说明
(白皮书，数据表) |
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| 产品应用实例 |
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