株式会社瑞萨科技（Renesas Technology Corp.）是移动电话、汽车、计算机/音视频市场全球领先的半导体系统解决方案供应商之一，也是全球首屈一指的微控制器供应商。瑞萨科技还提供功率MOSFETs、智能卡微控制器、射频IC、大功率放大器、混合信号IC、系统级芯片（SoC）、系统级封装（SiP）等产品。瑞萨科技成立于2003年，是日立（TSE：6501，NYSE：HIT）与三菱电机（TSE：6503）的合资企业。2008财年（截止2009年3月）瑞萨科技的综合收入达到7027亿日元。瑞萨科技总部位于日本东京，拥有一个遍布16个国家和25,000雇员的制造、设计、销售的全球性网络。欲了解进一步信息，请访问http://www.renesas.com

R2J20651NP多芯片模块在单QFN封装内整合了高端MOSFET、低端MOSFET和MOSFET驱动器。可以利用内置式驱动器优化功率MOSFET的开/关时序，使得该器件成为大电流降压转换器的理想之选。芯片还整合了高端自举肖特基势垒二极管（SBD），从而消除了对外部SBD的需求。

性能特点：符合Intel 6x6 DrMOS技术规范；内置式功率MOSFET适于输入电压为5V/12V的应用；与功率MOSFET匹配的内置式驱动器电路；内置式三态输入功能，支持大量PWM控制器；能够实现3.3V和5V PWM信号；VIN工作电压范围：16V（最大值）；能够实现高频操作（1MHz以上）；平均输出电流大（35A，最大值）；可控驱动器：远程开/关；用于实现DCM操作的低端MOSFET禁用功能；内置式热报警；用于实现自举的内置式肖特基二极管；小封装：QFN40（6mm x 6mm x0.95mm）；终端无铅/无卤素。