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ST推出最新的DRAM内存模块标准专用温度传感器
作者:    时间:2007-09-11    来源:Edires 
 
      

高性能模拟器件和混合信号产品的主导厂商之一的意法半导体(纽约证券交易所:STM)今天推出两款高精度专用数字温度传感器芯片,新产品完全符合个人计算机双列直插内存模块(DIMM)的温度监测标准JEDEC JC42.4的规定。

计算机等系统内的双速率DDR2和DDR3的数据传输速度比上一代标准更快,但是内存过热的风险也随之增加。温度传感器可以监视内存温度,为中央处理器调整数据流量和采取防过热措施提供依据,因此温度传感器在系统设计中变得更为重要。

STTS424是一个独立使用的数字温度传感器芯片,而STTS424E02则集成了温度传感器和一个2 Kbit的串行存在检测 (SPD) EEPROM。按照JEDEC的要求,该存储器安装在内存模块的边上,用于存储内存的时序参数和其它信息。两款产器都通过一个I2C/SMBus兼容串行总线与CPU芯片组通信,封装分别采用2 x 3mm DFN8和4.4 x 3mm TSSOP8 。

与竞争产品和JEDEC JC42.4标准相比,STTS424传感器将工作电流降低了50%。 集成式产品STTS424E02可以替代现有内存模块的2 Kbit SPD
EEPROM存储器,而且增加了温度感应功能,因此,电路板重新设计成本极低,同时组件数量没有增加。为了便于设置温度,STTS424E02的温度传感器和EEPROM都有各自的唯一的I2C/SMBus总线地址。

这两款新的传感器芯片 – 意法半导体温度传感器产品家族中的专用产品 – 集成了一个模数转换器(ADC),可以监测内存模块的工作温度,并将模拟信号转变成数字信号,最小温度分辨率0.25℃,测量精度达到±1℃,温度测量范围 +75℃到+95℃。该器件是出厂前校准的,温度测量无需外部组件。工作电源电压2.7V到3.6V,工作温度范围-40℃到+125℃。在3.3V电压下,典型电源电流100μA。

在出现下列情况之一时,开路漏极事件输出引脚激活:监测温度超过预设极限;或超过客户设置的报警窗口的上限或下限。这个引脚可以配置成恒温操作的比较器模式或中断模式。STTS424E02的2-Kbit串口EEPROM能够把数据永久锁存在第一个128字节内,供带有PSD芯片的DDR双列直插内存模块使用。

意法半导体现在开始接受生产订单,如果大批量订购,STTS424的价格是0.70美元,STTS424E02是0.85美元。

标签:  ST  DRAM  温度传感器


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