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三星NAND闪存 技术容量高达32Gb
作者:    时间:2006-09-14  来源:    
韩国三星电子日前表示,公司开发出了目前全球扩展能力最强的芯片,此次开发出的NAND闪存基于空前强大的40纳米技术,总容量高达32Gb。据悉该产品将可以存储3.6万张高清晰图片,或40部电影。

实际上,在此之前业界一直在猜测,是否NAND闪存热潮将最终冷却,而该技术将会在何时淡出主流市场?而凭借32G的超大容量,NAND产品线的寿命无疑将得以延长。目前该产品主要用于便携电子设备,例如移动MP3音乐播放器等。三星总裁Hwang先生在产品发布会上表示,“32G版本NAND闪存在可靠性和可控性方面,均作出了长足改进。”

  去年的时候,三星电子推出了16GBb容量的NAND闪存,基于50纳米技术。凭借新产品的推出,Hwang先生表示:“新技术将扩展NAND闪存的产品寿命,并且为移动电子设备带来改变,在提供更大容量的前提下,尽可能节省空间。”
标签:  电源设计;三端稳压器LM317T;整流桥;仿真
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