| |
| WJ推出28 V InGaP HBT功率放大器技术 |
| 作者： 时间：2006-09-02 来源: |
| |
WJ通讯公司（纳斯达克股票交易所代号：WJCI）是从事射频（RF）解决方案的领先设计公司和供应商，它的产品用于无线设施（wireless infrastructure）和射频识别（RFID）读出技术，近期该公司宣布研制成功令人振奋的28 V InGaP HBT技术，用于移动基本设施的功率放大器。与市场上现有的其他技术比较，这项技术在功率输出和效率方面具有显着的优点。这种28 V工艺是在WJ通讯公司现有的5 V InGaP HBT工艺的基础上发展起来的，已经通过实践证明它是可靠性很高的工艺，适合移动基础设备使用。使用这种新的28 V工艺制造的几种新产品正在研制之中，将在2006年第三季度推出。
“对于研究成功这项新的28V InGaP HBT工艺，我们感到十分振奋。这项技术显着地提高了邻近频道功率比/邻近频道泄漏比（ACPR/ACLR）性能，而效率与市场上目前的LDMOS产品相当或者更高。”WJ通讯公司负责工程技术的副总裁Morteza Saidi说道。“用这项技术制造的器件可以作为B类放大器使用，由于独特的电路设计（已经申请专利权），它的ACPR/ACLR性能仍然很好。我们初步计划推出几种1 dB压缩点（P1dB）功率为10 W的产品，这项技术也适合于制造功率更大的产品。”
工艺简介
+28 V InGaP HBT工艺是先进的技术，它的击穿电压极高，能够用于很大的功率。我们已经在半导体结温为315 ℃的情况下进行了4000小时的寿命试验，而且它的β降级极少。我们已经证明这项工艺在输入过载6 dB时，仍然不会损坏。
封装的开发
WJ通讯公司还研制了一种可以进行表面贴装的功率QFN封装，用于这些InGaP HBT产品，它是使用低熔点贴片技术把芯片贴上去，大量地降低了热阻，保证它能够可靠地工作。
|
|
|
|
|
