企业 个人 用户名 密码   忘记密码?
站内 站外
风格设定:
论坛 博客 会展
论坛 博客 会展
 
亿能推出DDR3 SO-DIMMs高性能内存
作者:    时间:2008-07-22    来源: 
 
      

全球内存领导供货商奇梦达公司(NYSE: QI)旗下的渠道和零售内存品牌亿能(Aeneon)推出了新一代的内存产品DDR3 SO-DIMMs(小型双重内嵌式内存模块)。该产品为业界首批基于英特尔迅驰2代处理器技术的DDR3笔记本电脑提供省电和高性能支撑。

作为首批零售内存品牌之一的亿能内存,将向市场提供容量为1GB和2GB 的 DDR3-1066 SO-DIMMs。这些模块采用低耗电的1Gbit DDR3 组件,在1.5 伏标准DDR3电压下提供7-7-7-21的时延, 非常适合于移动计算。DDR3 SO-DIMMs将于2008年8月以单一零售包的形式在全世界上市。

奇梦达渠道及零售业务部副总裁Carsten Gatzke博士表示,“我们很高兴向市场推出DDR3内存技术,使更多的用户能够体验崭新的英特尔迅驰2代技术。DDR3在几年中将是主要内存架构形式。DDR3技术的采用,表明亿能内存致力于向零售市场提供多种高端的内存产品。”

新的DDR3 模块以及高密度的DDR2-800 SO-DIMMs是亿能内存专为新一代英特尔迅驰2平台量身定做的零售DRAM解决方案的一部分。

标签:  内存  DDR3  笔记本电脑


  发表评论

昵称: 验证码:
内容:
 
相关新闻
 · mClinux系统特点深入分析
 · DDR3内存加速3D游戏
 · 可携式产品内嵌式内存技术成兵家必争之地
 · 奇梦达1GB和2GB的省电DDR3 S
 · 奇梦达;消费电子将取代PC成内存主要推
 · 三星:第一季度内存和芯片将跌价10%以
 · 内存产业2008年再缠斗 战线不断扩大
 · 台湾内存大厂搁置芯片厂建设和扩产计划
最新资讯
 · Fluke 233分体式无线数字万用表
 · 首届中国嵌入式创新应用解决方案评选进行
 · JMP在佐治亚理工学院科研和教学中的应
 · 百佳泰测试实验室选择力科USB3.0测
 · 德资雅迪HARTING公司连接器产品
 · Microsemi在APEC 2010
 · TDK-EPC亮相慕尼黑上海电子展
 · 欧姆龙电子部件贸易(上海)有限公司将出
 
  站内 站外
  Copyright(C)2008 Electronic Design & Application World All rights reserved.  《电子设计应用》杂志社 版权所有
地址:北京海淀区复兴路15 号138 室   联系电话:(86)10-58882972   传真:(86)10-58882762   京ICP备05012822号
北京市公安局备案号:1101082052