功率半导体专家国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出全新WARP2 600V非穿透型 (NPT) IGBT，额定电流分50A、35A和20A三种。新器件的关断性能经特别改良，适用于电信和服务器系统中的大电流、高频开关电源电路。

全新WARP2非穿透IGBT能以高于功率MOSFET的性能价格比，提供理想的性能和效率。这些IGBT与 HEXFRED二极管组合封装，性能高于功率MOSFET中的集成体二极管。新器件采用TO-247及TO-220封装。

IR中国及香港销售总监严国富先生表示：“特别是在价格与性能同样重要的应用中，最新WARP2 IGBT器件是功率因数校正 (PFC) 及零电压开关 (ZVS) 应用系统的最佳选择。器件的通态损耗低于功率MOSFET，可创造更大效益，其拖尾电流极短，能有效工作于150kHz或以下频率。”

严国富先生称，IGBT的电流密度优于功率MOSFET，可减低器件数目，有助节省成本和改善功率密度。

全新WARP2 IGBT以IR的薄晶片技术制成，确保缩短少数载流子耗尽时间，加快关断过程。此外，器件的拖尾电流极短、关断切换损耗 (EOFF) 极低，可让设计人员实现更高工作频率。

WARP2 IGBT凭着更完善的开关性能，配合正温度系数特性和更低栅开通电荷，有效提高电流密度。若以并联模式操作，它们可以像功率MOSFET一样发挥极佳的电流均分性能。与功率MOSFET不同，它们的通态损耗能保持固定不变。

在TO-247封装内，全新IGBT能处理高达50A电流，电容量比采用相同封装的IR 600V MOSFET高出85%；若采用TO-220封装，则可处理高达20A电流，电容量比采用相同封装的IR 600V MOSFET高出18%。

新器件现已投入供应。数据表详载于IR网站www.irf.com