模拟信号处理及功率管理解决方案供应商 Zetex Semiconductors近日推出一款可满足前置偏压电源电路需求的新型高压MOSFET器件。

ZXMN0545G4是一款450V增强型N沟道器件，可用于简单的线性稳压器，在启动阶段位为脉宽调制（PWM）集成电路提供所需电压，然后在转换器完全启动后关闭。与其他依赖电阻器的解决方案相比，这种基于MOSFET的解决方案有助于提升系统效率和缩短启动时间。

Zetex亚洲副总裁林博文先生指出，新型MOSFET采用独特的四引脚SOT223封装，能发挥最大的抗高压漏电性能。该器件采用崭新的导线框架设计，只需从两个常用的漏极引脚位置中切断其中一个，便可以大大扩展引脚间距，有助于设计人员满足UL及CE漏电距离规范。

这款晶体管的导通电阻非常低，最大只有150 Ω，还可以支持高达140 mA的连续漏极电流和600mA的脉冲电流，具备了高效的功率处理能力。此外，该器件的切换速度非常高，启动及上升时间设定为7 ns。