安森美半导体（美国纳斯达克上市代号：ONNN）进一步拓展其经济高效的高性能功率MOSFET系列，推出新系列的自护式SmartDiscrete™器件，具有先进的集成水平，由公司领先业界的HDPlus™芯片工艺制造，为要求苛严的汽车和工业应用提供优越的性能表现。

这些新型器件是低边、自钳位、46伏（V）、48-185毫欧MOSFET，集成了电流限制保护、过热关断、过压保护以及静电放电（ESD）保护。安森美半导体的HDPlus™芯片工艺以单片式设计在很宽的温度范围内优化性能。供选择的集成功能，范围从取代通用3055 MOSFET的业界首款主动钳位、ESD保护器件，到带电流和温度限制功能的全自护式MOSFET。

安森美半导体副总裁兼集成电源器件部总经理Ramesh Ramchandani说：“系统设计人员渴望获得能减少元件数量、提高系统稳定性并简化硬件和软件设计的解决方案。安森美半导体的新型SmartDiscrete™ MOSFET为多种分立器件集成了保护电路，是开发可靠系统的节省空间且经济高效的解决方案。”

在功率MOSFET必须经受高功率与/或短路情况的应用中，强制需具备保护功能。针对这种需求，安森美半导体的新型SmartDiscrete™ 功率MOSFET的自护式电路设计结合了漏极电流感应与限制。在负载短路的情况下，电流限制电路保护可阻止电流尖峰。如果这种情况持续下去，温度电路监测接点温度将在到达某设定点时（典型值为175˚ C）关断器件。内部温度限制电路设计为在接点温度降低约15° C时自动接通主MOSFET。器件不断进行热循环，直到短路情况被修正。

该等器件采用低成本、节省空间的SOT-223和DPAK表面贴装。