巨磁阻效应发现者荣膺本年度诺贝尔物理学奖。英飞凌现已开始利用这种效应测量汽车转向角度，成为全球首家开始批量生产集成巨磁阻传感器（iGMR）的半导体供应商。英飞凌的传感器可异常精确地测量0° 到360°的转向角度，包含两个GMR全桥、一个温度传感器、两个模数转换器、数个稳压器、滤波器以及在运行过程中能连续监控这些组件的内部机制。

    英飞凌传感器芯片TLE 5010具备两个数字角度分量——正弦函数和余弦函数。通过SPI接口连接传感器的8位微控制器利用这些分量计算实际的角度信号。传感器与微控器之间采用数字方式传输数据，提高了抗干扰性，此外，集成的温度传感器还可起到补偿的作用，确保在-40 °C至+150 °C的温度范围内获得非常精确的转向角度。

        GMR效应是由几纳米厚的多层金属膜的磁场产生的电阻变化导致的。简单来说，该金属膜由具备固定的稳定磁化方向（参考方向）的参考层和磁化方向由外部磁场决定（如指南针）的传感层构成。传感层和参考层通过仅为几个原子厚的铜层隔开，从而产生GMR效应。施加的磁场和传感器参考层之间的角度决定了金属膜的电阻变化。英飞凌成功地按照所需的精确度将这些层融入半导体标准CMOS制造工艺 。