内存供应商奇梦达公司宣布其Cell尺寸可达4F² 的30纳米次代的先进技术蓝图。奇梦达的创新Buried Wordline技术结合高效能、低功耗及芯片面积小的特性，再次拓展公司的多元化产品组合。奇梦达目前推出此尖端技术的65纳米进程，计划在2008年下半年开始生产1Gbit DDR2产品。

奇梦达公司总裁暨首席执行官罗建华(Kin Wah Loh)表示：“这项新的技术将能改善生产力和单位比特(per bit)成本至本公司前所未有的水平。我们是业界第一家宣布30纳米的次代技术蓝图的厂商，并将Cell尺寸缩减至4F²。此技术的推出是我们做为领导内存产品开发的领导者、持续创新的结果。这也有助于我们开发新的合作机会。”

奇梦达的目标是于2009年下半年开始量产46纳米Buried Wordline DRAM技术。与58纳米沟槽技术相比，此46纳米的Buried Wordline DRAM技术会提供每晶圆超过两倍以上的比特(bit)。公司计划于2009及2010财年，将由现金流量来做为制造流程的转换的投资，此一次性约1亿欧元的投资，将用于转换现有的沟槽产能至Buried Wordline技术。奇梦达运用Buried Wordline的技术和精简的制造流程，加上主流的堆栈式电容，使得这项制造流程转换只需较低的投资金额。