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飞兆半导体在印度普那建立研发中心
作者:    时间:2008-02-21    来源: 
 
      

专门提供可提升能效的高性能产品全球领先供应商飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 现已在印度普那 (Pune) 建立设计中心。这家研发中心将负责公司新一代功率MOSFET 和 IGBT 技术的设计和开发,支持太阳能逆变器、不间断电源 (UPS)、汽车、照明和镇流器等普及应用。

该印度研发中心雇有专业的电子工程师,他们均拥有丰富的设计经验,对于功率设计,尤其是低电压功率设计的要求了如指掌。飞兆半导体选择印度普那是因当地靠近几个以工程技术为重点的优秀院校和教育机构,而且也是不同研究机构的所在地,与当地的高等教育相辅相成。此外,普那在汽车制造领域的实力也很强大。

飞兆半导体提供业界最广泛的产品系列,从1W到大于1200W 的产品都一应俱全,可完全满足市场对高能效产品的需求。由于全球的燃油供应不断紧缺,而各国有关应用产品能效的各种强制性法规与标准相继出台,因此市场对更低功耗、更节能的新技术的需求持续上升。飞兆半导体专注于开发先进的产品和解决方案,以推动所有的电子应用实现高功效。

查询更多信息,请联络飞兆半导体香港办事处,电话:852-2722-8338;深圳办事处,电话:0755-8246-3088;上海办事处,电话:021-5298-6262;北京办事处,电话:010-8519-2060或访问公司网站:www.fairchildsemi.com

标签:  飞兆  研发中心


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