企业 个人 用户名 密码   忘记密码?
站内 站外
风格设定:
论坛 博客 会展
论坛 博客 会展
 
供应过剩 NAND及DRAM行情短期进一步恶化
作者:    时间:2007-11-29    来源:中电网 
 
      

美国iSuppli调研结果显示,由于供应过剩与价格暴跌,DRAMNAND闪存行情将在短期内进一步恶化。

NAND闪存方面,预计512M产品全球平均单价(ASP)将从2007年第三季度的60美分下降到第四季度的46美分。NAND闪存的平均单价在第二季度、第三季度均比上季度有所提高,分别为6%与8.4%。但是在第四季度,随着价格下跌,行情出现恶化,短期内很难恢复。iSuppli首席分析师Nam Hyung Kim表示,此次价格下跌的主要原因韩国内存厂商将生产能力从DRAM转移至NAND闪存,从而导致了供应过剩。

DRAM的行情方面,受到预计之外的2007年第三季度的收益下降及2007年11月的季节需求低迷的影响,预计将进一步恶化。2007年9月以后DRAM市场价格已跌至生产成本以下,512M容量DDR2产品的价格已经崩溃。在亚洲市场上,现货价格已经跌破1美元。受到此次价格下跌的影响,2007年第四季度DRAM厂商的业绩预计将趋于恶化,DRAM市场整体收益的恶化将持续至2008年第一季度。

不过,iSuppli预测,在今后几个季度内,内存市场将会逐渐恢复。在库存减少及产量(按bit换算)减少的推动下,DRAM市场将首先恢复,多数厂商将在2008年第二季度实现盈利。另一方面,NAND闪存的行情在第二季度仍将恶化,到第三季度将开始反弹。但是,这一预测的前提是内存厂商不进行会导致DRAM价格进一步下跌的增产,市场的恢复也可能会因厂商的动向而推迟。

标签:  NAND  DRAM  闪存


  发表评论

昵称: 验证码:
内容:
 
相关新闻
 · 基于TMS320C54x的便携存储设备
 · YAFFS文件系统在嵌入式Linux上
 · 从NAND闪存中启动U-BOOT的设计
 · iSuppli Warns of NA
 · TDK推出兼容GBDriver RS1
 · 分析师称NAND闪存市场可能再次面临崩
 · 内存产业2008年再缠斗 战线不断扩大
 · Gartner:08全球半导体设备开支
最新资讯
 · 龙旗和u-blox合作提供新型GPS手
 · 恩智浦高速RF输出功率器件
 · 热插拔开关为12V背板提供完全集成的解
 · 风河VxWorks MILS平台亮相
 · FCI与Premier Farnell
 · 2008年前三季度中国智能卡销售额累计
 · 2008年三季度中国数码相框市场销量为
 · 蓝光在华将败北 红光EVD仍有机会
 
  站内 站外
  Copyright(C)2008 Electronic Design & Application World All rights reserved.  《电子设计应用》杂志社 版权所有
联系电话:(86)10-66421136 66421836 66423836   传真:(86)10-66423936   京ICP备05012822号