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IR推出增强型25V及30V MOSFET

全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列新型 25V 及 30...

MOSFET IR 2009-05-14

Vishay Siliconix TrenchFET®功率MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新型20V P通道TrenchFET®功率MOSFET -...

MOSFET Vishay 2009-05-13

第三代20V P通道TrenchFET®功率MOSFET出炉

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新型20V P通道TrenchFET®功率MOSF...

MOSFET 导通电阻电源适配器 2009-05-13

IR推出新型逻辑电平沟道MOSFET

全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出新系列逻辑电平栅极驱动沟道H...

MOSFET IR HEXFET 2009-05-05

Vishay Siliconix 双P沟道功率MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出具有两个20V P沟道的第三代TrenchFET®...

Vishay MOSFET TrenchFET 2009-04-30

飞兆半导体 20V MicroFET™ MOSFET

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 为便携应用的设计人员带来具有业界最低RDS(ON) 的20V 2mm x 2mm x 0.55...

MOSFET 2009-04-24

单电感器高效率同步降压-升压型控制器

凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 LTC3780 的高可靠性 (MP) 级新版本，该器件是一个非常...

Linear DC/DC MOSFET 2009-03-30

Maxim推出具有4个使能输入的电池开关

Maxim推出具有4个使能输入的电池开关MAX14525。器件优化用于断开锂离子电池与负载的连接，具有35mΩ (典型值)的低RON和0.8&mic...

Maxim 电池开关 MAX14525 MOSFET 2009-03-30

英飞凌和博世签订功率半导体合作协议

英飞凌科技股份公司（FSE/NYSE: IFX）和博世集团将双方的合作范畴扩展至功率半导体。此次合作有两个重要内容：首先，博世将从英飞凌获得功率半导体制造工...

英飞凌 MOSFET 2009-03-27

功率MOSFET(Power MOSFET)的基本知识

自1976年开发出功率MOSFET (Power MOSFET)以来，由于半导体工艺技术的发展，它的性能不断提高：如高压功率MOSFET其工作电压可达1000V...

MOSFET 2009-03-26

极快的宽输入范围降压型 DC/DC 控制器

凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高效率 No RSENSETM 同步降压型 DC/DC 控制器 LTC3878...

Linear MOSFET 2009-03-24

6A同步降压稳压器

飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 为电信、显卡和消费电子产品设计人员提供一款单电源、高集成度的6A同步降压解决方案，可让设计人...

MOSFET DC-DC 飞兆半导体 2009-03-23

快捷半導體的新款MicroFET™ MOSFET

專業提供可提升能效的高性能產品全球領先供應商快捷半導體公司 (Fairchild Semiconductor)推出FDMA1024NZ和FDMA410NZ 雙N...

MOSFET 2009-03-23

飞兆半导体的MicroFET™ MOSFET有效延长电池寿命

专业提供可提升能效的高性能产品全球领先供应商飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出FDMA1024NZ和FDMA410NZ ...

MOSFET 2009-03-19

飞兆半导体栅极驱动器

飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 为设计人员提供一系列能够提升汽车应用功耗、噪声免疫能力和瞬态电压性能的栅极驱动器FAN708...

MOSFET FAN7080x 2009-03-18

飞兆半导体实现效率高达94%的电源参考设计

飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出 200W DC-DC 电源参考设计，可让设计人员更轻松地开发满足严苛能效法规要求的高效...

DC-DC MOSFET 2009-03-17

Vishay Siliconix第三代功率 MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）发布采用其新型 p 通道 TrenchFET® 第三代技术的...

Vishay MOSFET 2009-03-10

便携式产品的电池管理

随着便携式设备复杂功能的增多，消费者需要小巧、轻便、用户界面友好的设计有较长的电池使用寿命，这种消费偏好使电气设计工程师陷入了进退两难的局面，本...

DC-DC MOSFET PDA 2009-03-09

全面降低EMI的600V QPT IGBT设计概念

穿透型(Punch Through) IGBT在本质上会比其相对的MOSFET器件产生更多EMI(电磁干扰)，这是由于IGBT的本质是双载流器件，其开关特性是受...

MOSFET QPT 2009-03-04

利用CFD建模方法进行PCB热设计

另外一方面，为了降低成本，又需要减少不必要的走线。因此为了满足上述目标，必须在设计阶段对稳压器周围的PCB热导率变化及其对稳压器热性能的影响进行评估和调整。 ...

PCB MOSFET 2009-02-26

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