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阻抗最低的半桥MOSFET驱动器

电源管理集成电路开发商研诺逻辑科技有限公司(AnalogicTech™，纳斯达克股票市场代码：AATI），今日宣布为其不断扩展的MOSFET驱动器产品系列新增了...

MOSFET DC-DC AnalogicTech 2008-12-17

IR推出全新基准MOSFET

全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出具有高封装电流额定值的全新沟道型HEXF...

MOSFET IR HEXFET 2008-12-18

德州仪器收购 CICLON半导体公司

日前，德州仪器 (TI) 宣布收购总部位于宾夕法尼亚州伯利恒的高频率高效率电源管理半导体领先设计商 CICLON 半导体器件公司 (Semiconductor ...

TI MOSFET CICLON 2009-02-17

ST最新MDmesh™ V功率MOSFET技术

功率半导体产品的全球领导者意法半导体（纽约证券交易所代码：STM）宣布，功率MOSFET芯片性能方面取得巨大突破，最新的MDmesh™ V技术达到业...

MOSFET MDmesh™ V 2009-02-20

真实世界下的PC能效

计算机原设备制造商(OEM)正面对商业、环保和法规等多方面的压力，需要体现他们产品的能效，提供更“绿色” 的台式个人电脑(PC)和服务器...

80 PLUS MOSFET CSCI 2009-02-17

降低可携式应用中升压转换器开关损耗

为了降低无源元件的尺寸大小并获得快速动态回应，驱动频率被提高至MHz等级，但驱动频率越高，开关损耗就越大，随着开关频率不断增加，MOSFET的开关损耗将超过导通...

MOSFET CCM DC-DC 2009-02-10

功率MOSFET(Power MOSFET)的基本知识

自1976年开发出功率MOSFET (Power MOSFET)以来，由于半导体工艺技术的发展，它的性能不断提高：如高压功率MOSFET其工作电压可达1000V...

MOSFET 2009-01-09

190V 功率二极管的 190V N 通道功率 MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布推出业界首款带有同体封装的 190V 功率二极管的190V n ...

Vishay LED MOSFET 2009-01-09

如何估算交换式电源中的电感功率耗损

在交换式电源中有许多耗损功率的来源，其中包括MOSFET、输入与输出电容、控制器的静态耗电以及电感等，本文主要讨论由电感所带来的耗损，而电感器上...

MOSFET 2009-01-04

NS LM5088 75V输入异步降压电源控制方案

NS 公司的LM5088是75V高电压输入异步稳压控制器,能驱动高边N-MOSFET,具有能以最少外接元件来实现高效高输入电压降压转换器所需要的全部功能.LM5...

LM5088 降压转换器 N-MOSFET 2008-12-23

Vishay Siliconix 推出功率 MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc. （NYSE 股市代号: VSH）日前宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 Trench...

Vishay TrenchFET MOSFET 2008-12-23

20V n 通道功率 MOSFET＋肖特基二极管

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布推出业界最小的 20V n 通道功率 MOSFET＋肖特基二极管...

Vishay MOSFET PDA 2008-12-15

电源转换器的电磁相容性

EMC (Electromagnetic Compatibility，电磁相容性) 在过去十年间已经成为一个家喻户晓的名词。在90年代中期，欧洲...

EMC MOSFET PWM 2008-12-10

FET的特性与应用电路

电界效应半导体(FET: Field Effect Transistor，以下简称为FET)与电晶体同样拥有古老的歷史，两者最大差异是FET的消...

FET VGS MOSFET 2008-12-05

Fairchild FAN2108 8A高效降压电源方案

Fairchild公司的FAN2108是 8A高效同步降压TinyBuck电源稳压器,包括有两个同步MOSFET和控制器/驱动器.输入电压从3V到24V, 输出...

FAN2108 电源稳压器 MOSFET 服务器计算系统 2008-12-05

利用过压保护IC实现电池保护和切换功能

为了尽可能延长电池的使用寿命，大多数便携式设备采用内、外两种供电模式：没有外部电源时采...

MOSFET MAX4842 2008-12-02

反激式控制器可为任何大小的电容器充电

凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出反激式控制器 LT3751，该器件可将大型电容器迅速充电至高达 1000V。L...

凌力尔特 MOSFET LT3751 2008-12-02

面向电脑等的DC/DC转换器

NEC电子日前推出2款适用于电脑中DC/DC转换器用的功率MOSFET产品，并以“PA2745”、“PA2749&rdq...

NEC MOSFET 2008-12-01

全面降低EMI的600V QPT IGBT设计概念

穿透型(Punch Through) IGBT在本质上会比其相对的MOSFET器件产生更多EMI(电磁干扰)，这是由于IGBT的本质是双载流器件，其开关特性是受...

MOSFET IGBT QPT 2008-11-24

安森美半导体新的高集成度过压保护IC

全球领先的高性能、高能效硅解决方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)推出NUS6189新器件，将过压保护(O...

AC-DC MOSFET 2008-11-21

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