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　　由于ASIC的研发成本居高不下，加上近来FPGA不断整合更多的功能，同时也突破了过往功耗过高的问题，尤其当进入28奈米制程之后，其性价比开始逼近ASSP与A...

Xilinx FinFET 2013-11-21

　　比利时微电子研究中心(IMEC)宣称开发出全球首款在300mm晶圆上整合III-V族与矽晶材料的3DFinFET化合物半导体。IMEC的新制程目标是希望能持...

FinFET 矽材料 2013-11-13

　　晶圆代工厂迈入高投资与技术门槛的鳍式场效电晶体(FinFET)制程世代后，与整合元件制造商(IDM)的竞争将更为激烈，因此台积电正积极筹组大联盟(Grand...

台积电 FinFET 2013-07-23

　　三星21日宣布成功试产第1颗导入3D 鳍式场效晶体管(FinFET)的14纳米测试芯片，进度领先台积电，显示在苹果「去三星化」趋势已定下，三星力拚台积电的野...

三星 FinFET 14纳米 2012-12-25

　　半导体产业正在转换到3D结构，进而导致关键薄膜层对高速原子层沉积(ALD)的需求日益升高。过去在平面元件中虽可使用几个 PVD 与 CVD 步骤，但就闸极堆...

半导体 FinFET ALD 2012-11-19

　　电子设计企业Cadence Design Systems, Inc.今天宣布，借助IBM FinFET晶体管技术，已经成功流片了14nm工艺的ARM Cor...

Cadence 芯片 FinFET 2012-11-01

　　日前，GLOBALFOUNDRIES宣布推出采用FinFET架构的14nm-XM技术，其全球销售和市场营销执行副总裁Michael Noonen...

FinFET 14nm 2012-10-11

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