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穿透型(Punch Through) IGBT在本质上会比其相对的MOSFET器件产生更多EMI(电磁干扰)，这是由于IGBT的本质是双载流器件，其开关特性是受...

MOSFET QPT 2009-03-04

穿透型(Punch Through) IGBT在本质上会比其相对的MOSFET器件产生更多EMI(电磁干扰)，这是由于IGBT的本质是双载流器件，其开关特性是受...

MOSFET IGBT QPT 2008-11-24

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