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新一代SiC和GaN功率半导体竞争激烈
与现在的Si功率半导体相比,SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事...
SiC
GaN
2014-01-03
SiC和GaN是“下一代”还是“当代”?
SiC企业不断增多,成本不断下降”一文中,作者根津在开篇写道:“下一代功率半导体已经不再特别。”这是因为,随着使用SiC...
SiC
GaN
2013-07-18
未来十年GaN和SiC功率半导体市场将以18%的速度稳增
在未来十年,受电源、光伏(PV)逆变器以及工业电动机的需求驱动,新兴的碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率半导体市场将以18%的惊人速度稳步增长。 ...
GaN
SiC
2013-04-27
第三代半导体材料双雄并立,难分高下
进入21世纪以来,随着摩尔定律的失效大限日益临近,寻找半导体硅材料替代品的任务变得非常紧迫。在多位选手轮番登场后,有两位脱颖而出,它们就是氮化镓(GaN)和...
ROHM
SiC
GaN
2012-12-13
世界首家“全SiC”功率模块开始量产
日本知名半导体制造商罗姆株式会社(总部:日本京都市)推出的“全SiC”功率模块(额定1200V/100A)开始投入量产。该产品的内置...
罗姆
半导体
SiC
2012-03-23
罗姆与APEI联合开发出SiC沟槽MOS模块
日本知名半导体制造商罗姆株式会社(总部:日本京都市)日前面向EV、HEV车(电动汽车、混合动力车)及工业设备,与拥有电力系统和电源封装技术的Arkansas...
罗姆
SiC
MOS
2011-11-17
富士电机拟扩增SiC功率半导体产线
富士电机计划生产采用碳化硅作为原料的功率半导体,并在2012年前于该公司位于日本长野县的松元制作所增设一条产线,此为该公司首次在自家工厂设置碳化硅功率半导体...
富士电机
SiC
2011-08-22
晶体二极管开关转换过程分析
0 引言 晶体二极管开关电路在数字系统和自动化系统里应用很广泛,在晶体二极管开关特性实验中,其开关转换过程中输出与输入存在时间上的延迟或者滞后,研究晶...
晶体二极管
开关转换
SiC
2010-07-27
天科合达将高质量碳化硅 (SiC) 晶圆价格推向历史新低
目前,半导体产业的迅猛发展再次激发了现代技术的革新。作为第三代宽带隙半导体材料,SiC 在热学、电学、抗腐蚀等性能方面优越于常用的衬底材料,可广泛用于制造半导体...
SiC
6H-SiC
2009-03-02
英飞凌推出第三代碳化硅肖特基二极管
率先推出碳化硅(SiC)肖特基二极管的功率半导体全球领先供应商英飞凌科技股份有限公司(FSE/NYSE: IFX),近日在应用电源电子大会暨展览会(APEC)上...
SiC
APEC
肖特基二极管
2009-02-18
汽车市场不惧风浪,以创新汽车电子迎接挑战
汽车市场正在遭受大浪袭击。在全球石油价格暴涨和金融业动荡不安的形势下,远离汽车的潮流开始在美国市场和日本市场上蔓延……对于日本国内汽...
车载逆变器
燃料电池车
SiC
2008-10-27
功率模块技术演进
赛米控公司总经理 PaulNewman 把电力器件与电气应用相结合是一种有效利用电能的方法。工作温度和电流密度是衡量器件性能的重要指标。功率半导...
SiC
IGBT
二极管
2008-10-16
汽车市场不惧风浪 创新汽车电子迎接挑战
汽车市场正在遭受大浪袭击。在全球石油价格暴涨和金融业动荡不安的形势下,远离汽车的潮流开始在美国市场和日本市场上蔓延……对于日本国...
SiC
功率半导体技术
CEATEC
2008-10-08
车载SiC功率半导体前景光明 逆变器大幅实现小型化及低成本化
丰田汽车在“ICSCRM 2007”展会第一天的主题演讲中,谈到了对应用于车载的SiC功率半导体的期待。为了在“本世纪10年...
丰田
SiC
半导体
2007-11-06
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焦点