tsv

　　尽管晶体管的延迟时间会随着晶体管沟道长度尺寸的缩小而缩短，但与此同时互联电路部分的延迟则会提升。举例而言，90nm制程晶体管的延迟时间大约在 1.6ps左右...

TSV 穿硅互联技术 2011-05-26

水清木华研究中心日前发布研究报告指出，半导体业现在处于32nm制程时代，预估到2019年左右会进入16nm制程。设计一款45纳米SoC非人工花费达2,000-5...

摩尔定律封装 TSV 2009-10-28

尔必达内存宣布，该公司开发出了由TSV（硅通孔）层叠8层1Gbit DRAM芯片的器件。电极材料由当初的多晶硅改为低电阻的铜（Cu），从而可降低服务器用高速DR...

尔必达 TSV DRAM 2009-09-21

法国的市场研究机构Yole Development预期，明年MEMS设备产业表现将持平，不过在惯性MEMS组件、RF开关、能量采集与微反射镜(micromirr...

MEMS RF开关能量采集 TSV 2009-07-24

SEMI发布了一份白皮书，关于3D IC集成技术的快速发展，包括穿透硅通孔（TSV）技术发展概况，题为“3D Integration: An Ind...

SEMI 3D TSV 2009-07-10

专家认为，受持续增长的移动设备和汽车应用需求的驱动，晶圆级封装(WLP)将向I/O数更高和引脚节距更小的方向发展。2009年其他需要关注的WLP趋...

晶圆封装 WLP TSV 2009-03-19

在线研讨会

焦点