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全球DRAM产业面临二次崩盘潮危机

2010-12-01

三星计划2011年下半推出20纳米级制程DRAM

2010-11-23

台塑力挺南亚科

2010-11-19

尔必达赴台融资 引发DRAM台商恐慌

2010-11-16

三星DRAM内存市场获得上升

2010-11-15

三星4Q再降DRAM价

2010-11-10

尔必达削减产能试图阻止芯片降价

2010-11-08

尔必达削减产能应对芯片降价

2010-11-05

尔必达标准型DRAM将依赖台厂

2010-11-04

海力士Q3获利翻5倍

2010-11-01

海力士拟明年量产20纳米NAND Flash

2010-10-20

台DRAM厂4Q面临全亏危机

2010-10-20

存储器数据的软误差率(SER)问题

2010-10-14

景气虽不明 海力士仍持续投资30纳米制程

2010-10-13

美光多元化布局 不再独钟DRAM产品

2010-10-12

坂本幸雄踩刹车 瑞晶扩产计划喊停

2010-10-11

NAND Flash价格濒临成本线 静待大厂减产

2010-10-09

Castellano预测半导体产业环境再度急转直下

2010-10-09

内存价格10月份将持续下调

2010-10-08

尔必达12月将启动30纳米DRAM量产

2010-09-30
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