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存储器产业群雄割据时代将再度来临

　　随著存储器容量越来越大，NANDFlash产业制程在进入20纳米制程后，也开始遇到瓶颈，业界在未来制作更大容量存储器上，面临是否继续发展纳米的抉择。日本方面...

三星存储器 NAND 2011-08-01

纳米制程遇瓶颈业者纷纷投入3D存储器的开发

　　随著存储器容量越来越大，NAND Flash产业制程在进入20纳米制程后，也开始遇到瓶颈，业界在未来制作更大容量存储器上，面临是否继续发展纳米的抉择。日本方...

尔必达 NAND 2011-07-29

今年游戏主机NAND flash内存密度提高40%

　　内存的成本高昂，今年 NAND 在家庭主机和手持设备上的密集度仍将提高 40% 以上，而这是游戏最主要的游戏环境。　　今年家用游戏主机的 NAND 平均...

Sony NAND 2011-07-28

LSI推出CacheVault Flash高速缓存保护技术

　　LSI公司日前宣布推出一款 MegaRAID CacheVault技术，用于为 LSI MegaRAID 6Gb/s SATA+SAS RAID 控制卡提供...

LSI NAND 2011-07-27

2011年NAND闪存密度将增长40%以上

　　据IHS iSuppli公司的NAND闪存研究报告，尽管NAND闪存成本较高妨碍其进入游戏硬件，但2011年家庭游戏机与手持游戏机中的NAND密度将增长40...

索尼 NAND 2011-07-22

三星电子韩国新NAND厂预计9月投产

　　三星电子一家新的存储半导体制造厂将于9月投入运营。消息人士说，新厂编号为“Line-16”，主要生产NAND芯片。　　2010年...

三星 NAND 2011-07-19

东芝和SanDisk日本建第3个NAND半导体工厂

　　日前东芝和SanDisk在日本建立了第三家半导体工厂，以应对智能手机和平板电脑的快速发展而带来的对闪存芯片的大量需求。该工厂主要生产300毫米晶片NAND半...

东芝 NAND 2011-07-15

东芝与Sandisk共庆NAND闪存工厂Fab5正式投产

　　东芝株式会社与Sandisk公司日前共同庆祝位于日本三重县四日市东芝生产基地的第三家300mm晶圆NAND生产工厂Fab 5正式投产。　　由于消费者对...

东芝 NAND 2011-07-14

苹果三星风波引发四大半导体厂商主演四角恋大戏

　　最近举办的Semicon West2011半导体业界大会上，三星与苹果之间的知识产权争端事件显然会是一个有趣的话题。目前，三星正准备于8月份开始量产苹果手机...

三星 NAND 2011-07-12

Mobile RAM防线恐失守

　　行动装置风潮崛起使得PC DRAM需求式微，自2011年起包括Mobile RAM、服务器DRAM等，俨然已成为DRAM厂最佳避风港，然在各家存储器大厂一窝...

DRAM NAND 2011-06-20

Hynix开发出20nm制程64Gbit密度MLC NAND闪存芯片

　　Hynix半导体公司在近日举办的2011VLSI研讨上宣布成功研发出了20nm制程64Gbit 多位元型(MLC)NAND闪存芯片，Hynix称这款产品是业...

Hynix NAND 2011-06-17

海力士半导体放缓NAND Flash工艺转换速度

　　南韩半导体大厂海力士半导体(Hynix)主要NAND Flash产品群，近期将从原本的30纳米制程转换至20纳米级制程。海力士目前整体NAND Flash产...

海力士 NAND 2011-06-10

需求趋缓致NAND闪存芯片价格下降

　　由于苹果等大型企业的需求不够强劲，导致5月的NAND闪存芯片合约价格“快速”降低。　　今年5月的NAND芯片价格的降幅已经超过1...

ipad NAND 2011-06-07

NAND Flash需求急冻模组厂濒临警戒线

　　全球NANDFlash市场需求在5月进入冰河期，不仅快闪记忆卡和随身碟应用需求大幅降温，甚至传出平板电脑及智慧型手机大厂亦出现砍单情况，记忆体零售和系统端需...

NAND DRAM 2011-05-27

Gartner认为SSD将在明年成为市场主流

　　数年来固态硬盘正在变得越来越便宜和可靠，但相比大容量的硬盘而言，这种产品在容量和价格比上依然显得有些奢侈，例如40GB的Intel SSD相当于1TB的西部...

NAND SSD 2011-05-18

三星量产新型NAND闪存芯片

　　5月13日消息，据国外媒体报道，全球最大的内存芯片厂商三星电子周四称，它已经开始大批量生产新的NAND闪存芯片。这种闪存芯片传送速度的速度比目前市场上的任何...

三星 NAND 2011-05-16

三星与海力士提升NAND Flash芯片产量

　　据了解，由于智能型手机(Smartphone)和平板计算机(Tablet PC)需求暴增，三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hyn...

三星 NAND Flash 2011-05-09

美光：未来NAND Flash不求市占率但求低成本

　　由于智能型手机等行动装置应用驱动NANDFlash需求成长，加上日本强震造成东芝(Toshiba)5、6月NAND Flash供货锐减50%，美光(Micr...

美光 NAND 2011-04-28

东芝将量产19nm工艺64Gbit NAND

　　东芝宣布其开发出了“全球首款”(该公司)采用19nm工艺的64Gbit NAND型闪存。将从2011年4月底开始样品供货，2011年...

东芝 NAND 2011-04-26

东芝Sandisk搭档组推出19nm制程NAND闪存芯片

　　上周，Intel和镁光发表联合声明，正式推出采用20nm制程技术制造的NAND闪存芯片产品，并称这款产品将于年内在IMFT属下的工厂开始生产。不过两家的头名...

东芝 NAND 2011-04-22

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