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IM Flash向客户送样最新20纳米制程8GB NAND
据华尔街日报(WSJ)报导指出,由英特尔(Intel)和美光(Micron)出资各半成立的快闪存储器合资公司IM Flash,日前领先业界率先推出最新20纳...
Micron
NAND
2011-04-18
英特尔和美光IM 厂合约将尽
英特尔(Intel)和美光(Micron)在2005年底携手抢进NAND Flash领域且成立合资公司IM Flash Technologies(IMFT)...
英特尔
NAND
2011-04-15
Intel与镁光将就NAND业务合作作重要宣布
Intel与镁光公司本周四将对NAND业务合作事宜作重要宣布,不过两家公司并没有透露这次宣布的详细内容是什么。据Web-Feet Research市调公司的...
Intel
NAND
2011-04-14
海力士背负54.46亿美元债务
2001年海力士(Hynix)受景气波及,遭债权银行团接手并进行债务重整,时隔10年,海力士已成为全球第2大计算机内存芯片供货商。即使如此,海力士仍背负5....
海力士
内存芯片
NAND
2011-04-13
海力士看好存储器价格反弹
韩国存储器大厂海力士(Hynix)对DRAM及NAND Flash产业后市,发表脱离谷底的看法,对于台系DRAM厂而言,可望注入强心针。在硅晶圆部分,海力士...
Hynix
DRAM
NAND
Flash
2011-04-02
NAND Flash供给吃紧 二线平板计算机厂5月恐断货
硅晶圆断料阴影笼罩半导体产业,原本要展翅高飞的平板计算机、智能型手机等应用,现在都要看NAND Flash芯片后续供应情况,存储器业者指出,虽然3、4月供货...
硅晶圆
NAND
2011-03-24
日本强震影响苹果公司股价
据经济之声报道,苹果公司这几天股价连续大幅下滑,市值损失接近220亿美元。周五的股市交易中,苹果股价再一次小幅下挫。分析人士指出,在很多外在不确定因素的影响...
苹果
NAND
2011-03-22
日本地震带来的制造业连锁反应
虽然日本大地震引起的海啸抵达美国西海岸时已激不起大浪;但日本地震,却可能实实在在冲击到美国苹果公司刚上市的新品iPad2。 技术专家拆解iPad2发现...
闪存
NAND
2011-03-18
苹果再施狙击式采购
苹果目前正在跟三星电子洽谈购买约78亿美元的零组件,内容包括屏幕、处理器、NAND闪存等,主要都是要用在 iPad、iPhone等产品上面。一旦该笔订单确定...
三星
NAND
2011-02-25
全球NAND Flash扩产竞赛3缺1
存储器大厂海力士(Hynix)2010年第4季获利受到DRAM报价下跌影响而骤降,除了积极布局非标准型DRAM相关的应用领域之外,市场认为目前全球4大NAN...
海力士
NAND
2011-02-15
2011年NAND闪存销售额将实现两位数增长
据iSuppli公司,作为多种消费电子产品的事实性存储媒介,NAND闪存2011年将再度实现两位数的增长。 2010年NAND闪存销售额创下最高纪录,...
三星电子
NAND
2011-01-17
英特尔亚太NAND Flash操盘手离职引发业者哗然
英特尔(Intel)跨足NAND Flash产业迈入第5年,但近期在策略上有诸多调整,引发存储器业界高度关注,包括日前合作伙伴美光(Micron)宣布新加坡...
英特尔
NAND
2010-12-31
美光新加坡厂明年投产
美系存储器大厂美光(Micron)2010年全球NAND Flash市占率大跃进,已挤下海力士(Hynix)坐稳全球三哥宝座,在扩产速度上,美光在2011年...
美光
NAND
2010-12-17
台湾加入NAND Flash战局
台湾长久缺席的快闪存储器产业终于出现曙光,由于既有NAND Flash技术在20纳米制程以下面临天险,全球大厂纷竞逐下世代技术,近期国家纳米元件实验室(ND...
NAND
9纳米
2010-12-17
东芝停电事故或将引领NAND闪存涨价
亚洲最大的半导体交易市场Dramexchange分析师周三表示,由于东芝一家芯片工厂因短时电力故障而停产的影响,到2011年1月中旬之前,NAND闪存芯片的...
东芝
NAND
2010-12-17
东芝日本厂跳电 受影响产能恐达20%
华尔街日报(WSJ)报导,东芝(Toshiba)位于四日市(Yokkaichi)的NAND跳电事件恐怕会影响接下来的产能,普遍使用于智能型手机(Smartp...
东芝
NAND
2010-12-14
半导体存储器厂商恢复大型设备投资
2010年在半导体存储器业界,各厂商纷纷恢复了在2008年秋季的雷曼事件后处于冻结状态的大型设备投资。由此,市场上的份额竞争再次变得激烈起来。 2008~2...
存储器
NAND
2010-12-09
NAND Flash管理算法的设计及实现
O 引言 Flash是一种非易失存储器,它在掉电条件下仍然能够长期保持数据。由于它具有容量大、速度快、功耗低、抗震性能好等优点,近几年在U盘、SD卡、...
Flash
NAND
MLC
2010-11-30
未来几年NAND闪存将面临过剩隐忧
据iSuppli公司,由于智能手机以及平板电脑的使用量增加,2010年全球NAND闪存营业收入将达到最高纪录。 预计2010年NAND闪存营业收入将达...
NAND
智能手机
2010-11-19
3C大厂合力推动UFS实现NAND应用接口标准统一
集邦科技旗下研究机构 DRAMeXchange 指出,JEDEC Task group 中的一些主要成员如:三星 (Samsung)、诺基亚(Nokia)、...
三星
NAND
UFS
2010-11-10
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