企业 个人 用户名 密码   忘记密码?
站内 站外
风格设定:
 
您的位置:首页 > 新闻 > 活动快报
创毅联合中移动MWC2012上展示TD-LTE多模方案
作者:    时间:2012-02-27    来源:电子设计应用 
 
      

  2012年2月27日,2012年世界移动通信大会(MWC2012)在巴塞罗那隆重举行,世界移动通信大会是全球规模最大的通信年度盛会。

  国内领先的移动通信终端芯片解决方案厂商创毅联合中国移动在MWC2012上共同演示了LTE多模、单模数据卡和CPE等多款终端产品,其中TD-LTE多模数据卡既支持TDD/FDD共模,也向下支持TD-SCDMA、GSM多模制式,TDD/FDD 共模为TD-LTE标准的国际化推广提供了强有力的支撑,而兼容TDS/GSM将助力2G,3G市场向TD-LTE的平滑演进。

  

 

  该多模数据卡采用了创毅40nm工艺 WarpDrive 5000基带芯片,支持FDD /TD-LTE/TDS/GSM/GPRS/EDGE 多模制式,最高可实现150Mbps的下载速率和50Mbps的上传速率,支持700M~3.5GHz全频段,可实现TD-SCDMA/GSM双模自动切换。WarpDrive 5000采用超低功耗设计,支持多种上下行配比及同频、异频测量和切换,支持CAT4速率等级,下行高达150Mbps,值得一提的是该款产品是全球第一款支持先进的双流波束赋形TM8传输技术的基带芯片。

  作为国内主要的TD-LTE芯片供应商,创毅早在2007 年就启动了TD-LTE 终端基带芯片研发项目。2010 年4 月创毅成功推出全球首枚TD-LTE 终端芯片与终端数据卡,并服务于2010 年上海世博会。2011年5月创毅率先入选由工信部组织的“6+1”城市TD-LTE 第一阶段规模技术试验网测试,并在厦门,广州,杭州,南京,深圳,与多家系统厂商展开测试,2011年底,创毅又成为首批入围第二阶段TD-LTE 规模技术试验网测试的芯片厂商。同时,创毅也在加速支持4G标准TD-LTE-Advanced的基带芯片研发进度,预计将在2013年推出支持TD-LTE-A的基带芯片。

  随着2012年TD-LTE试点城市规模试验第二阶段的开始,TDD与FDD共模,并兼容现有的2G和3G制式,从而为TD-LTE终端产品预商用奠定坚实基础将成为中国移动TD-LTE规模试验网测试的主要内容。与此相对应,多模TD-LTE终端芯片将成为市场的主流趋势,在未来较长一段时间,是否同时支持FDD并兼容2G和3G 制式将成为检验TD-LTE芯片技术成熟与否的一个重要标准。

标签:  创毅  TD-LTE


  发表评论

昵称: 验证码:
内容:
 
相关新闻
 · Chips&Media助力创毅视讯推出
 · 中兴通讯携手创毅视讯完成外场多用户TD
 · 创毅视讯入围TD-LTE规模试验
 · 创毅与思亚诺达成和解 携手共促CMMB
 · 思亚诺与创毅视讯平息移动电视战争
 · 创毅联合中移动MWC2012上展示TD
最新资讯
 · Marvell助力LED照明迈入大众市
 · 创毅联合中移动MWC2012上展示TD
 · 力科于2012DesignCon上展示
 · 首个国家级元器件平台基地落户东莞
 · 2011 TI技术研讨会中国站揭开大幕
 · 英特尔“小东西,大创意,够格就上”
 · 中芯国际2011年技术研讨会于上海揭幕
 · LG Display主办中国首届3D电
 
  站内 站外
  Copyright(C)2008 Electronic Design & Application World All rights reserved.  《电子设计应用》杂志社 版权所有
地址:北京海淀区复兴路15 号138 室   联系电话:(86)10-58882972   传真:(86)10-58882762   京ICP备12027778号-3
北京市公安局备案号:1101082052