该公司计划于年底之前推出采用此项创新沟槽处理技术的P型通道和N型通道MOSFET完整系列。最初几款器件将于本季度推出，针对便携和无线产品中的负载管理、电路充电、电池保护和直流-直流转换等应用。接下来将推出面向计算机和汽车应用的高性能沟槽为本的器件。
安森美半导体副总裁兼集成电源产品总经理Ramesh Ramchandani说：“将更完善的芯片几何学与安森美半导体的沟槽技术相结合，可发挥极佳的导通电阻特性——产生的直接效果是延长电池寿命、提升功率转换性能并提高热效率。当前市场上有广泛的沟槽MOSFET可供选择，而安森美半导体将凭借着采用先进沟槽处理技术的优越器件进军市场。”
尖端技术
安森美半导体独有的沟槽处理技术实现了业界最高的通道密度，在给定的封装占位面积下具有极佳的导通电阻（Rds(on)）性能。例如，安森美半导体将生产的ChipFET封装（1.8 mm x 3.3 mm）8伏（V）P型通道和20伏P型通道产品的导通电阻分别为19毫欧（mOhms）和21毫欧。与目前相同封装尺寸的产品相比，在4.5伏栅极电压下这些电阻值平均改进了40%。而安森美半导体将推出的Micro-8LL（3.3 mm x 3.3 mm）、TSOP-6（3 mm x 3 mm）与SC-88（2.0 mm x 2.0 mm）封装MOSFET的导通电阻也有相同比例的改进。
安森美半导体的首批沟槽半导体器件将于3月开始提供样品。