安森美半导体副总裁兼标准元件部总经理Charlotte Diener说：“由于SOD-123FL优化电路板空间占用每单位内的功率耗散，该封装是便携与无线电路板设计所需之TVS元件与肖特基二极管的理想选择，此类设计必须符合电源管理和保护的严格要求。”
SOD-123FL封装器件可直接替代电路板中的SOD-123（JEDEC DO219）封装器件，同时具有更出众的功率处理能力。比较而言，SOD-123FL封装的瓦特/ mm2 热性能比SOD-123提高达149%，比SMA提高达90.5%，比PowerMite提高达26.5%。SOD123FL厚度（最大为1mm）比标准SOD123封装低25%或以上，非常适宜讲究电路板空间的便携应用。
SOD-123FL封装独有的引脚结构以及具有最佳功效的线夹设计，允许低正向电压。附带线夹的内部设计比引线粘结封装具有更优秀的浪涌电流能力，成为瞬态电压抑制应用的理想封装选择。安森美半导体已在新型封装内采用低泄漏电流硅技术，以更好地节省能量。
SOD123FL以环保、无铅的封装平台提供更佳性能。该封装采用100%锡（Sn）涂覆所有外表电镀面。其在260° C下回焊，达到1级潮湿敏感度等级（MSL），同时与现有回焊工艺逆向相容。
SOD123FL器件
安森美半导体已推出50款具实效的SOD123FL封装标准元件。目前可提供以下器件：
- SMF 5.0：5V至170V的200瓦TVS器件系列。
- MBR120VLSFT1：1安培、20伏肖特基功率整流二极管，具极低正向电压，可延长便携应用的电池寿命。
- MBR120LSFT1：1安培、20伏肖特基功率整流二极管，具低正向电压，可延长可延长便携应用的电池寿命。
- MBR120ESFT1：1安培、20伏肖特基功率整流管，具低漏电。
- MBR140SFT1：1安培、40伏肖特基功率整流管，具优化的低正向电压和低泄漏。
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