新型双端口系列包括70P248和70P258两种器件，可应用于一个端口的3.3/3.0/2.5伏输入/输出，以及另一个核心端口的1.8伏输入/输出。这一功能可帮助设计人员仅用一个独立双端口器件就能连接处理器和各种电压的输入/输出，无需额外的电压转换器。
新器件将工作电流和待机电流减少95％之多，较市场现有的替代双端口产品大幅提高了功耗性能。新型双端口系列进一步巩固了IDT在2.5G和3G手机通信和PDA等新兴高端领域的领导地位，可满足更多集成语音、多媒体和数据处理的不断提升的需求。这些应用对于中国的设计人员和制造厂商是至关重要的。
IDT公司日本和亚太地区销售经理Ravi Agarwal表示：“业界首款1.8伏双端口器件的问世进一步扩展了IDT在多端口产品市场的领导地位，与此同时，我们将一如既往地致力于无线设计领域的研发。实际上，中国设计人员目前面临的重大挑战在于如何减少高性能无线手机设备的板占位和降低功耗。IDT新型双端口器件为解决这一问题提供了理想方案，很多中国客户已经对新器件表示了浓厚的兴趣。”
IDT 1.8伏双端口产品大幅降低了无线手机应用的功耗。例如，一个基带处理器和一个应用处理器在能独立运行处理程序的同时需要高速相互交换数据，2.5G和未来3G应用就是这种环境的极好例证。
IDC无线半导体研究部经理Allen Leibovitch表示：“目前，手机厂商致力于在高端多媒体手机中增加更多的应用处理器，以实现更高水平的操作系统和先进的语音、图像和视频等功能。我们目前的预测显示配备分立应用处理器的手机数量将不断上升。目前，在分立应用处理器和基带之间没有标准化的高速链接。因此，手机厂商将更加青睐那些能实现高速链接的低功耗器件，以便能够真正实现运营商提供的无线数据功能。”
IDT双端口器件均采用小型封装，以满足无线手机和PDA对于减少板面积的要求。
新器件还可提供传统双端口产品不具备的先进功能，包括集成创新的输入读取和输出驱动寄存器，可帮助用户监控和驱动外部二进制输入和输出器件，如DIP开关和LED，仅采用双端口标准存储接口即可实现。这一功能将拓展处理器在实际应用中的功能，用户可以把通用输入/输出(GPIO)引脚用于其他用途。
1.8伏双端口器件可提供高达55纳秒的高速接入，并提供两个具有单独控制、地址和I/O引脚的独立端口，可以独立和异步读、写任何存储器地址。IDT双端口器件采用高性能IDT CMOS技术，典型操作功耗为27毫瓦。
新器件采用100球状、0.5毫米球栅队列，厚度仅为1毫米，是无线手机和其他便携应用的理想解决方案。
供货情况
新器件现可提供样品，计划于2004年第二季度投入量产。您可以登陆以下网站，查询该产品及其他IDT多端口产品的详细信息：http://www.idt.com/products/pages/Multi-Ports.html，也可浏览 http://www10.idt.com:81/pressroom/imagebank/products.cfm下载高清晰产品图片。
产品型号 技术参数 封装类型 提供样品 量产时间
70P35 8Kx181.8V核心和输入/输出 100球fpBGA, TQFP 现可供货 04年2季度
70P34 4Kx181.8V核心和输入/输出 100球fpBGA, TQFP 现可供货 04年2季度
70P258 8Kx161.8V核心，1.8V和3.3/3.0/2.5V输入/输出 100球fpBGA 现可供货 04年2季度
70P248 4Kx161.8V核心，1.8V 和3.3/3.0/2.5V输入/输出 100球fpBGA 现可供货 04年2季度
70P25 8Kx161.8V核心和输入/输出 100球fpBGA, TQFP 现可供货 04年2季度
70P24 4Kx161.8V核心和输入/输出 100球fpBGA, TQFP 现可供货 04年2季度