诺发系统有限公司（纳斯达克股票市场Nasdaq代号：NVLS）是全球半导体行业在高级淀积、表面处理和化学机械平坦化工艺等领域的生产力和技术领导企业。该公司今天宣布推出用于65纳米及更窄工艺节点填充接触和通路的ALTUS DirectFill单系统解决方案。DirectFill系统采用诺发公司久经考验的ALTUS平台，不再需要传统的钛/氮化钛(Ti/TiN)淀积设备。与现有的工艺相比，这项先进的接触和通路填充工艺可以将接触电阻和总体拥有成本降低50%以上。
诺发公司的ALTUS DirectFill解决方案用单一的系统取代标准的多设备Ti/TiN/W工艺，简化了钨淀积工艺过程。这一系统将先进的预清洁工艺整合在一个工艺模块内，随后的模块整合了诺发公司的PNL™氮化钨(WN)淀积专利技术，而在第三个模块内则将PNL和钨化学气相淀积工艺整合在内。这些采用氮化钨和钨的多功能序列淀积工艺模块有助于提高产能和工艺复用率。
ALTUS DirectFill技术在技术上有几个重要优势。首先，氮化钨阻隔层显示出原子级淀积(ALD)均匀性，而且比它所取代的Ti/TiN阻隔层要薄得多，这样就可以用电阻率较低的钨来填充大部分的电接触。在45纳米工艺节点这一级工艺，氮化钨/低电阻率钨DirectFill工艺可将接触电阻降低50%以上。此外，PNL氮化钨可以提供优秀的阻隔层特性，并能与各种介电材料很好地粘附。所有的工艺温度都在400°C以下，可很好地满足将来的工艺集成要求。与其它公司类似系统不同的是，ALTUS DirectFill技术在不提高电阻率的情况下，很好地解决了更窄工艺节点的接触填充问题。
诺发公司钨事业部副总裁兼总经理Karl Levy指出，“ALTUS DirectFill解决方案创新地将先进的接触填充工艺与久经考验的诺发平台整合在一起。与传统的PVD/MOCVD工艺步骤不同，我们的整合式单一平台技术可以增强目前的钨淀积应用，如电接触和位线，同时还可用于未来的应用，如电容器电极和金属栅电极，在这些领域，我们目前正在评估氮化钨和钨的特性。这个系统体现出巨大的技术优势，而且不会影响生产力。”
这个新工具可用于8英寸硅片(Concept Two ALTUS DirectFill)和12英寸硅片(Concept Three ALTUS DirectFill)。目前正在与全球二十多家客户合作，联合开发各种应用和新兴技术的半导体生产工艺。