安森美半导体新型ESD抑制器件采用低高度封装，超越便携式产品行业最严格的ESD保护标准

µESD双串联二极管为便携式和电池供电应用提供双线保护、优异的ESD钳制性能和超低高度封装

作为全球领先的分立器件供应商，安森美半导体（ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN）日前推出 µESD （微型ESD） 双串联高性能微型封装静电放电（ESD）保护二极管。µESD双串联系列产品专为为电压敏感元件提供双线保护而设计，适于需要最小板面积和低高度的应用，如手机、MP3播放器和便携式游戏系统。

安森美半导体小信号部市场营销主管Gary Straker表示，“对致力于满足严格的ESD标准的设计人员而言，安森美半导体的µESD双器件提供了替代常用多层可变电阻(MLV)的令人注目的方案。µESD双器件可以在小于两个0402 MLV的板面积内保护两条线路，同时具有多种性能优势，包括钳制电压较低、漏电较少、响应时间较短，且能够承受多次ESD冲击，而在电气性能上无偏移。”

这些器件设计采用目前市场上最小的3引脚塑料封装来获取最佳的ESD抑制性能。µESD双串联可在不足一纳秒内钳制30千伏（kV）ESD瞬流（符合IEC61000-4-2标准），确保电压敏感元件受到保护。这些器件可将ESD脉冲电压钳制至低于7伏特（V），以保护最敏感的系统并减小对电路功能的干扰。

µESD双串联系列的另一特性在于采用超小的SOT-723 封装。由于其外形尺寸仅为1.2 mm x 1.2 mm，因此对板面积受限的设计人员而言是理想的选择。由于此封装的高度仅有0.5 mm，设计人员因此能够在不影响功能的同时，实现高度的最小化。这种串联将双线保护集成入一个封装中，可以进一步减小所需的板面积和系统元件数量，从而简化了封装工艺。

这些新型ESD保护器件关断状态的漏电电流超低，仅为0.05 毫安（µA），提高电路效率和电池使用寿命，非常适于手持式产品应用。它们的电容较小，仅为35 皮法（pF），适于为数据速率高达10 Mb/s的数据线提供保护。

安森美半导体小信号部总经理Mamoon Rashid说，“由于便携式电子应用的用户接口数量增加，而尺寸减小，因而它们越来越容易受到偶然ESD损害的影响。µESD双串联系列产品是安森美半导体与日增长的器件系列中的新成员，专为钳制 ESD 瞬流而设计。安森美半导体通过先进的硅设计，并致力于推动封装外壳发展，公司将持续为这一具有挑战性的应用领域开发高性能的解决方案。”